[发明专利]存储器器件

说明书

公开了一种存储器器件。该存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及分别在所述多个垂直孔中的多个垂直结构，所述多个垂直结构中的每一个垂直结构包括嵌入式绝缘层以及多个彼此分离的沟道层，所述多个沟道层位于所述嵌入式绝缘层的外部。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年7月14日在韩国知识产权局递交的题为“存储器器件”的韩国专利申请No.10-2016-0089271的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及存储器器件。

背景技术

电子产品的体积逐渐减小，而同时仍然要求处理大容量的数据。因此，需要增加这些电子产品中使用的存储器器件的集成度。已经提出了一种方法，可以增加半导体存储器器件的集成度，以及具有垂直晶体管结构而不是现有的平面晶体管结构的存储器器件。

发明内容

根据实施例的一个方面，一种存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及多个垂直结构，包括在所述多个垂直孔的每一个中设置的嵌入式绝缘层以及多个沟道层，所述多个沟道彼此分离并且设置在所述多个垂直孔之一中的嵌入式绝缘层的外部。

根据实施例的另一个方面，一种存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；层间绝缘层，设置在所述栅极结构的上表面上；多个垂直结构，穿过所述层间绝缘层和所述栅极结构，并且包括嵌入式绝缘层和设置在所述嵌入式绝缘层外部的多个沟道层；多个柱头，直接连接至分别设置在所述多个垂直结构之一中的多个沟道层；以及多个位线，连接至所述多个柱头中的至少一个。

根据实施例的另一个方面，一种存储器器件包括：栅极结构，包括在衬底的上表面上堆叠的多个栅电极层；多个垂直孔，沿与所述衬底的上表面垂直的方向延伸以穿过所述栅极结构；以及多个垂直结构，分别在所述多个垂直孔中，所述多个垂直结构的每一个垂直结构包括通过同一垂直孔内的嵌入式绝缘层彼此分离的多个沟道层。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，在附图中：

图1是示出了根据示例实施例的存储器器件的示意性框图；

图2是示出了根据示例实施例的存储器器件的存储器单元阵列的等效电路图；

图3A示出了根据示例实施例的存储器器件的一部分的平面图；

图3B示出了根据示例实施例的存储器器件的一部分的平面图；

图3C示出了根据示例实施例的存储器器件的一部分的平面图；

图4示出了存储器器件沿图3A的S-S’线的透视图；

图5示出了存储器器件沿图3A的S-S’线的横截面图；

图6是示出了图5中所示的存储器器件的区域A的放大视图；

图7至图24示出了根据示例实施例的制造存储器器件的方法的多个阶段的视图；以及

图25示出了包括根据示例实施例的存储器器件的电子设备的框图。

具体实施方式

下文中，将参照附图来描述实施例。

图1是示出了根据示例实施例的存储器器件的框图。

参考图1，根据示例实施例的存储器器件1可以包括存储器单元阵列2、行解码器3和核心逻辑电路6。核心逻辑电路6可以包括读/写电路4和控制电路5。