[发明专利]微发光二极管显示模块及其制造方法在审
申请号: | 201710431792.1 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN109037260A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 黄振潮;王协友;吕旻晃;王利明 | 申请(专利权)人: | 美商晶典有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微发光二极管 区块 驱动芯片 半导体层 显示模块 像素电极 发光二极管 透光导电层 像素 电路板 电路板电性 电性连接 沟槽界定 矩阵排列 发光层 色层 制造 穿透 | ||
1.一种微发光二极管显示模块的制造方法,该制造方法包括以下步骤:
制备一发光二极管晶圆及一驱动电路晶圆,其中该发光二极管晶圆的部分区域界定为一发光二极管区块,该驱动电路晶圆的一芯片大小的区域界定为一驱动芯片区块,其中该发光二极管区块具有一第一半导体层、一发光层、及一第二半导体层,该发光层设于该第一半导体层及该第二半导体层之间,该第一半导体层连接一基材,该第一及该第二半导体层其中一者系为N型半导体层、另一者系为P型半导体层;
接合该发光二极管区块与该驱动芯片区块,其中该第二半导体层与该驱动芯片区块的多个像素电极电性连接;
去除该基材;
蚀刻该发光二极管区块,而形成交错排列的多个沟槽,其中该等沟槽界定出呈矩阵排列的多个微发光二极管像素,各该微发光二极管像素对应一该像素电极;
设置一透光导电层于该第一半导体层上,其中该透光导电层具有对应该等微发光二极管像素的共同电极;
设置一色层于该透光导电层上,其中该色层系为RGB色层。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该N型半导体层包括一N型掺杂层及一N型缓冲层,该N型掺杂层位于该N型缓冲层与该发光层之间。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该P型半导体层还包括一P型掺杂层及一P型缓冲层,该P型掺杂层位于该P型缓冲层与该发光层之间。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,另包括一步骤:将该驱动芯片区块另与一电路板电性连接,其中该驱动芯片区块系为从该驱动晶圆上切割分离的驱动芯片。
5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,该透光导电层藉由一导电胶另与该电路板电性连接。
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该透光导电层藉由一导电胶电性连接该驱动芯片区块。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该透光导电层包括一披覆有一ITO导电膜的玻璃层,该ITO导电膜与各该微发光二极管像素电性连接。
8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该色层系为滤光片。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,该色层系以喷涂量子点方式形成。
10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,于接合该发光二极管区块与该驱动芯片区块的步骤之前、于制备该发光二极管晶圆的步骤之后,另包括一步骤:将该发光二极管区块从该发光二极管晶圆切割分离;其中接合该发光二极管区块与该驱动芯片区块的步骤,系该发光二极管区块与具有该驱动芯片区块的该驱动电路晶圆接合。
11.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,于接合该发光二极管区块与该驱动芯片区块的步骤之前、于制备该发光二极管晶圆及该驱动电路晶圆的步骤之后,另包括一步骤:将该发光二极管区块及该驱动芯片区块分别从该发光二极管晶圆及该驱动电路晶圆切割分离。
12.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,接合该发光二极管区块及该驱动芯片区块的步骤,系将该具有该发光二极管区块的发光二极管晶圆与该具有该驱动芯片区块的驱动电路晶圆相接合。
13.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,另包括一步骤,将非导电胶注入该等沟槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的