[发明专利]微发光二极管显示模块及其制造方法在审
申请号: | 201710431792.1 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN109037260A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 黄振潮;王协友;吕旻晃;王利明 | 申请(专利权)人: | 美商晶典有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微发光二极管 区块 驱动芯片 半导体层 显示模块 像素电极 发光二极管 透光导电层 像素 电路板 电路板电性 电性连接 沟槽界定 矩阵排列 发光层 色层 制造 穿透 | ||
本发明关于一种微发光二极管显示模块及其制造方法。该微发光二极管显示模块,包括一驱动芯片区块、一发光二极管区块、一电路板及一色层。该驱动芯片区块具有多个像素电极。该发光二极管区块设于该驱动芯片区块,且具有二半导体层、及多个沟槽,该二半导体层其中一者电性连接该等像素电极、另一者连接一透光导电层。该等沟槽界定出多个呈矩阵排列的微发光二极管像素,各该沟槽至少穿透该发光层、及一该半导体层,各该微发光二极管像素对应一该像素电极。该电路板电性连接该驱动芯片区块,该色层设于该透光导电层。
技术领域
本发明系关于一种发光二极管,特别系一种微发光二极管显示模块及其制造方法
背景技术
传统发光二极管(Light Emitting Diode,LED)多用于LCD(Liquid CrystalDevice)的背光源或是直接做为发光像素点使用,然而后者由于分辨率不足的因素,多用于大型的广告灯板,较少应用于消费性电子产品。
近年来开始发展一种新的显示技术-微发光二极管(Micro LED),主要是将LED进行微小化、薄膜化、以及阵列化,其尺寸大小为微米级。Micro LED除了具有以往无机LED的特点-高色彩饱和度、高效率、高亮度、反应迅速等,并且应用于显示设备时,仅需透过自发光而无需背光源即可达到显示的目的,更具节能、机构简易、轻薄等优势,最重要的是,微发光二极管还具有超高分辨率的特性。
除此之外,微发光二极管相较于有机发光二极管,其色彩更容易准确的调整,且具有更长的发光寿命、更高的亮度、较少的影像残留以及具有较佳的材料稳定性等优点。
一般利用如台湾专利TW 201640697A或论文「Zhao Jun Liu et al.,MonolithicLED Microdisplay on Active Matrix Substrate Using Flip-Chip Technology,IEEEJournal Of Selected Topics In Quantum Electronics,pp.1-5(2009)」所述的微发光二极管来制造显示模块时,通常需要分批制造不同颜色的微发光二极管,再将其分批大量转贴到控制电路板上,再利用物理沉积制程来设置保护层以及电极,之后再进行封装以完成一个微发光二极管显示模块。
然而,分批转贴不同颜色的微发光二极管的过程中,因为每个微发光二极管的体积十分细小,并不易转移(拾取与放置)以及接线连接(Wire Bonding),进而产生良率不佳、制造缓慢以及成本耗费等问题。
发明内容
本发明可以将多个微发光二极管以阵列的方式生成并设置于驱动芯片区块上,使驱动芯片上的像素电极个别驱动每个微发光二极管像素,并且使用透光导电层或微发光二极管内部的结构(例如半导体层)来作为多个像素的共同电极,如此一来,每一个微发光二极管即可经由驱动芯片寻址控制而单独驱动点亮。
另外,为了使微发光二极管显示模块可以全色显示,可另外设置RGB(Red,Green,Blue)色层,例如设置RGB滤光片或喷涂量子点。透过此种结构即可制作高分辨率的微发光二极管显示模块;并且可降低转移过程中产生良率不佳等问题。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商晶典有限公司,未经美商晶典有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710431792.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的