[发明专利]湿法蚀刻设备有效
| 申请号： | 201710433932.9 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107316826B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 湿法 蚀刻 设备 | ||
1.一种湿法蚀刻设备，其特征在于，包括用于承载基板(50)的承载台(10)、设于所述承载台(10)上方用于向基板(50)表面喷淋蚀刻液的喷淋管(20)、设于所述承载台(10)与喷淋管(20)之间用于向基板(50)表面涂布蚀刻液的液刀(30)、以及设于所述承载台(10)下方用于容纳蚀刻液和基板(50)的蚀刻槽(40)；
还包括设于所述承载台(10)上方用于将基板(50)固定在承载台(10)上的固定夹(15)；
所述喷淋管(20)向基板(50)表面喷淋蚀刻液时，所述承载台(10)带动基板(50)一起沿水平方向来回移动。
2.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，所述液刀(30)通过沿水平方向来回移动，向承载台(10)上的基板(50)表面涂布蚀刻液。
3.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，所述承载台(10)通过沿垂直方向上下移动，带动基板(50)一起进入或离开蚀刻槽(40)内。
4.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻槽(40)的相对两槽壁上分别设有进液口(41)和出液口(42)。
5.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，所述喷淋管(20)上设有沿其轴向方向排列的多个喷嘴(21)，所述喷淋管(20)通过其上的多个喷嘴(21)向基板(50)表面喷淋蚀刻液。
6.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，在所述喷淋管(20)对基板(50)表面喷淋蚀刻液的过程中，所述喷淋管(20)在基板(50)的上方来回转动。
7.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，还包括设于所述承载台(10)与喷淋管(20)之间用于向基板(50)表面吹风而对基板(50)表面进行清洁处理的风刀(80)。
8.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备，其特征在于，还包括蚀刻室(1)，所述承载台(10)、喷淋管(20)、液刀(30)以及蚀刻槽(40)均安装于所述蚀刻室(1)内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
