[发明专利]湿法蚀刻设备

说明书

本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽；从而将喷淋、浸泡及涂布三种蚀刻模式集成在同一个蚀刻单元当中，缩减了机台结构，减少了机台的占地空间，降低了维护保养的成本和时间，并且蚀刻过程中基板置于承载台上随承载台一起移动，而不需要单独对基板进行传送，蚀刻过程更加稳定，从而减少了mura产生。

技术领域

本发明涉及平面显示器的制程领域，尤其涉及一种湿法蚀刻设备。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)等平板显示装置因具有机身薄、高画质、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。例如LCD的制程一般包括：前段阵列制程、中段成盒(Cell)制程、及后段模组组装制程，前段阵列制程又包括：玻璃基板的清洗与干燥、镀膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、去除光刻胶等制程。蚀刻又分为湿法(WET)蚀刻和干法(DRY)蚀刻，其中湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度以及最终面板的品质有很大的影响，因此蚀刻尺寸偏差(CD Bias)及蚀刻尺寸(CD)均一性是湿法蚀刻后的重要特征值。举例来说，对于第二层金属，如果蚀刻尺寸不均匀，也即部分区域导线较宽，会造成像素之间第二层金属与第一层金属交盖面积的不同，也就是说，产生不同的电容耦合效应，使面板的品质偏离设计值。

目前常用的湿法蚀刻模式主要有喷淋式(Spray mode)、浸泡式(Dip mode)及涂布式(Puddle mode)，对于现有的湿蚀刻设备，上述三种蚀刻模式需要在不同的蚀刻单元中完成，即现有的湿蚀刻设备中喷淋蚀刻单元、浸泡蚀刻单元及涂布蚀刻单元为功能相分离的独立蚀刻单元，因此湿蚀刻设备结构比较复杂，维护保养困难，机台面积大，易占空间；其中，Spray模式下，喷淋蚀刻单元主要通过转动传送滚轮将其上的玻璃基板沿水平方向前后来回传送而实现摇摆(Oscillation)动作以使蚀刻更加均匀，如果存在滑片则会导致报废；Dip模式下，浸泡蚀刻单元主要通过关闭蚀刻槽两端的遮板(Shutter)达到浸泡目的，这样就存在两个劣势，一是在Shutter开启的时候会造成药液不均匀流动形成mura，二是对于每一片玻璃都需进行关Shutter动作和开Shutter动作，降低了蚀刻效率；Puddle模式下，涂布蚀刻单元主要采用固定液刀、移动玻璃基板的蚀刻方式，因此只能进行单次药液涂布。

发明内容

本发明的目的在于提供一种湿法蚀刻设备，能够简化机台结构，减少机台的占地空间，降低机台维护保养的难度和成本，并减少在蚀刻过程中由于传送基板所造成的mura。

为实现上述目的，本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽。

所述喷淋管向基板表面喷淋蚀刻液时，所述承载台带动基板一起沿水平方向来回移动。

所述液刀通过沿水平方向来回移动，向承载台上的基板表面涂布蚀刻液。

所述承载台通过沿垂直方向上下移动，带动基板一起进入或离开蚀刻槽内。

所述的湿法蚀刻设备，还包括设于所述承载台上方用于将基板固定在承载台上的固定夹。

所述蚀刻槽的相对两槽壁上分别设有进液口和出液口。