[发明专利]一种硅基锰金属复合材料及在电子领域应用

说明书

本发明公开了一种硅基锰金属复合材料及在电子领域应用，由如下重量份原料制成：聚苯乙烯40‑50份、聚乙烯吡咯烷酮20‑30份、纳米二氧化硅25‑35份、纳米二氧化锰5‑15份、聚丙烯酰胺10‑20份。本发明提供的复合材料性能优异，组成新颖，可以用于制备成的电子封装材料。

技术领域

本发明属于电子领域，具体涉及一种硅基锰金属复合材料及在电子领域应用。

背景技术

在微电子集成电路以及大功率整流器件中，密集的无数微小尺寸的元件产生大量热量，因芯片与封装材料之间热膨胀系数的不匹配而引起的热应力疲劳以及散热性能不佳而导致的芯片过热已成为微电子电路和器件的主要失效形式。电子元件的封装成为了制约系统性能的瓶颈问题。30%的芯片计算能力受到封装材料的限制，其影响已和芯片同等重要。电子封装材料作为一种底座电子元件，用于承载电子元器件及其相互联线，因此封装材料必须和置于其上的元器件在电学性质、物理性质、化学性质方面保持良好的匹配:良好的导热性能；较低的热膨胀系数，即与Si和GaAs相匹配；高频特性良好，即低的介电常数和低的介质损耗；强度和刚度高，即对芯片起到支撑和保护的作用；良好的加工成型和焊接性能；密度小，以减轻器件的重量；化学性质稳定。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基锰金属复合材料及在电子领域应用。

本发明通过下面技术方案实现：

硅基锰金属电子封装复合材料，由如下重量份原料制成：聚苯乙烯40-50份、聚乙烯吡咯烷酮20-30份、纳米二氧化硅25-35份、纳米二氧化锰5-15份、聚丙烯酰胺10-20份。

优选地，硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯45份、聚乙烯吡咯烷酮25份、纳米二氧化硅30份、纳米二氧化锰10份、聚丙烯酰胺15份。

优选地，硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯40份、聚乙烯吡咯烷酮20份、纳米二氧化硅25份、纳米二氧化锰5份、聚丙烯酰胺10份。

优选地，硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯50份、聚乙烯吡咯烷酮30份、纳米二氧化硅35份、纳米二氧化锰15份、聚丙烯酰胺20份。

本发明技术效果：

本发明提供的复合材料性能优异，组成新颖，可以用于制备成的电子封装材料。

具体实施方式

下面结合实施例具体介绍本发明的实质性内容。

实施例1

硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯45份、聚乙烯吡咯烷酮25份、纳米二氧化硅30份、纳米二氧化锰10份、聚丙烯酰胺15份。

实施例2

硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯40份、聚乙烯吡咯烷酮20份、纳米二氧化硅25份、纳米二氧化锰5份、聚丙烯酰胺10份。

实施例3

硅基锰金属电子封装复合材料通过如下重量份的原料制成：聚苯乙烯50份、聚乙烯吡咯烷酮30份、纳米二氧化硅35份、纳米二氧化锰15份、聚丙烯酰胺20份。