[发明专利]一种芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

重布线路层，包括第一表面、相对所述第一表面的第二表面以及设置于所述第一表面的图案化线路层，其中所述图案化线路层的外表面与所述第一表面共平面；

芯片，设置于所述第二表面并电性连接所述图案化线路层；

模塑料，设置于所述第二表面以包覆所述芯片；

球底支撑层，设置于所述第一表面上并包括多个开口，所述多个开口暴露所述图案化线路层的所述外表面；

附着层，覆盖各所述开口的内壁；以及

多个焊球，分别设置于所述多个开口内并电性连接所述图案化线路层。

2.如权利要求1所述的封装结构，所述球底支撑层与所述重布线路层的介电层的材料相异。

3.如权利要求1所述的封装结构，所述重布线路层还包括：

多个导通孔，连通所述第一表面及所述第二表面，并电性连接所述图案化线路层；以及

球底金属层，设置于所述第二表面并电性连接所述多个导通孔。

4.如权利要求3所述的封装结构，所述重布线路层还包括：

第一介电层，其中所述图案化线路层内嵌于所述第一介电层，且所述图案化线路层的所述外表面与所述第一介电层的表面共平面，以共同定义出所述第一表面；

第二介电层，设置于所述第一介电层上，其中所述多个导通孔贯穿所述第二介电层，且所述球底金属层，设置于所述第二介电层上。

5.如权利要求4所述的封装结构，所述第一介电层的材料的杨氏模量小于所述第二介电层的材料的杨氏模量，且所述第一介电层的材料的杨氏模量小于10Gpa。

6.如权利要求1所述的封装结构，所述球底支撑层的厚度介于1微米至50微米之间或大于或等于各所述开口直径的十分之一。

7.如权利要求1所述的封装结构，所述附着层的材料包括钛、铜、镍或银。

8.如权利要求1所述的封装结构，所述附着层覆盖被各所述开口所暴露的部分所述图案化线路层。

9.如权利要求1所述的封装结构，所述附着层远离所述图案化线路层的底面，且与所述球底支撑层远离所述图案化线路层的下表面共平面。

10.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成球底支撑层于载板上；

形成重布线路层于所述球底支撑层上，其中所述重布线路层包括连接所述球底支撑层的第一表面、相对所述第一表面的第二表面以及内嵌于所述第一表面的图案化线路层，所述图案化线路层的外表面与所述第一表面共平面；

设置芯片于所述第二表面上，其中所述芯片电性连接所述图案化线路层；

形成模塑料于所述第二表面以包覆所述芯片；

移除所述载板并形成暴露所述图案化线路层的多个开口于所述球底支撑层上；以及

形成多个焊球于所述多个开口内，其中所述多个焊球电性连接所述图案化线路层。

11.如权利要求10所述的封装结构的制作方法，还包括：

在形成所述球底支撑层于所述载板上之前，形成多个突起于所述载板上。

12.如权利要求11所述的封装结构的制作方法，还包括：

在形成所述球底支撑层于所述载板上之前，形成离型层于所述载板上，其中所述离型层覆盖所述多个突起以及被所述多个突起所暴露的所述载板的表面。

13.如权利要求12所述的封装结构的制作方法，还包括：

在将所述球底支撑层填充于所述多个突起间之前，形成附着层于覆盖所述多个突起的部分所述离型层上，所述球底支撑层的所述上表面与所述附着层的顶面共平面，且所述附着层远离所述图案化线路层的底面与所述球底支撑层远离所述图案化线路层的下表面共平面。