[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710437465.7 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107300996B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 彭勇;张鹏举;李鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板应用于触控与显示驱动器集成的触控产品,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成绝缘薄膜,并通过构图工艺形成条状挡墙;其中,所述挡墙的宽度等于待形成的第一金属走线和第二金属走线之间的间距;
在所述挡墙上形成导电薄膜,并通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成所述第一金属走线和所述第二金属走线。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述挡墙的厚度小于或等于所述第一金属走线和所述第二金属走线的厚度。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成第一金属走线和第二金属走线,具体包括:
通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺形成源极和漏极,并在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成第一金属走线和第二金属走线,所述源极与所述第一金属走线电连接。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在衬底基板上形成绝缘薄膜之前,所述方法还包括:
在衬底基板上依次形成栅极以及栅绝缘层;
在形成第一金属走线和第二金属走线之后,所述方法还包括:
在所述第一金属走线和所述第二金属走线上依次形成缓冲层和平坦层;
在所述平坦层上形成第一电极,所述第一电极穿过所述缓冲层和所述平坦层上的过孔与所述第二金属走线电连接;
在所述第一电极上钝化层;
在所述钝化层上形成第二电极,所述第二电极穿过所述钝化层、所述平坦层和所述缓冲层上的过孔与所述漏极电连接。
5.一种阵列基板,所述阵列基板应用于触控与显示驱动器集成的触控产品,其特征在于,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的第一金属走线和第二金属走线;
所述阵列基板还包括设置在所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的挡墙;其中,所述挡墙的宽度等于所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括与所述第一金属走线和所述第二金属走线同层设置的源极和漏极,所述源极与所述第一金属走线电连接;
所述阵列基板还包括设置在所述第一金属走线和所述第二金属走线靠近所述衬底基板一侧的栅极和栅绝缘层;其中,所述栅极靠近所述衬底基板。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次设置在所述第一金属走线和所述第二金属走线上的缓冲层、平坦层、第一电极、钝化层和第二电极;
其中,所述第一电极穿过所述缓冲层和所述平坦层上的过孔与所述第二金属走线电连接;所述第二电极穿过所述钝化层、所述平坦层和所述缓冲层上的过孔与所述漏极电连接。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求5-7任一项所述的阵列基板。
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