[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710437465.7 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN107300996B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 彭勇;张鹏举;李鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G02F1/1333 |
代理公司: | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可增强触控信号线与数据线之间间隙位置处的曝光。所述方法包括:在衬底基板上形成绝缘薄膜,并通过构图工艺形成条状挡墙;其中,所述挡墙的宽度小于或等于待形成的第一金属走线和第二金属走线之间的间距;在所述挡墙上形成导电薄膜,并通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成所述第一金属走线和所述第二金属走线。用于使触控信号线与数据线之间间隙位置处充分曝光。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,触控屏(Touch Panel)技术进入快速发展时期,触控屏按照触控电极的设置位置可以分为外挂式触控屏和内嵌式触控屏,内嵌式触控屏可以分为:外置式触摸屏(On cell Touch Panel)和嵌入式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,InCell触控屏又可分为复合内嵌式(Hybrid In Cell,简称HIC)触控屏和完全内嵌式(FullIn Cell,简称FIC)触控屏。
为了降低显示屏的厚度,将触控传感器(Touch Sensor)内置于薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,简称TFT)的FIC触控产品成为目前触控屏的主要发展方向。在TDDI(Touch and Display Driver Integration,触控与显示驱动器集成)触控产品中,由于还需要还触控信号线传输触控信号,因此如图1所示,一般像素内传输触控信号(例如Tx信号)的触控信号线20与数据线(Date)10相邻设置,在衬底基板30形成数据线10的同时形成触控信号线20。
然而,对于高分辨率(Pixels Per Inch,简称PPI)的触控产品,由于触控信号线20与数据线10之间间隙(Space)的宽度很小,因此在制作触控信号线20与数据线10的曝光过程中,常会出现触控信号线20与数据线10之间间隙位置处曝光不足的问题。当光刻胶为正性光刻胶时,如果曝光不足,触控信号线20与数据线10之间刻蚀不干净,将会导致数据线10与相邻的触控信号线20接触短路(short),从而产生不良;但是如果过曝光(扩大曝光区域),又会导致形成的数据线10和触控信号线20较细,这样在fanout(扇出)区由于数据线10更细,从而会导致数据线10极易断裂,进而影响了与断裂的数据线相连的一列像素的正常发光。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,可增强触控信号线与数据线之间间隙位置处的曝光。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板的制备方法,包括:在衬底基板上形成绝缘薄膜,并通过构图工艺形成条状挡墙;其中,所述挡墙的宽度小于或等于待形成的第一金属走线和第二金属走线之间的间距;在所述挡墙上形成导电薄膜,并通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成所述第一金属走线和所述第二金属走线。
优选的,所述挡墙的宽度等于所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距。
优选的,所述挡墙的厚度小于或等于所述第一金属走线和所述第二金属走线的厚度。
优选的,通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成第一金属走线和第二金属走线,具体包括:通过涂布光刻胶、曝光、显影及刻蚀工艺形成源极和漏极,并在所述挡墙沿延伸方向的两侧分别形成第一金属走线和第二金属走线,所述源极与所述第一金属走线电连接。
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