[发明专利]半导体装置结构

说明书

技术领域

本发明实施例关于一种半导体技术，且特别是关于一种半导体装置结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进展已经产生了多代IC。每一代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。然而，这些进展也已增加处理和制造IC的复杂度。

在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积的内连装置的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造制程产生的最小部件(或线))却减小。这种按比例缩小制程通常因生产效率提高及相关成本降低而带来了益处。

然而，由于特征部件(feature)尺寸不断减小，因而使相邻装置之间的距离缩小。因此，在尺寸越来越小的情形下形成可靠的半导体装置成为了一种挑战。

发明内容

根据一些实施例，提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括一第一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于第一装置上方。半导体装置结构包括一第一导电遮蔽层位于第一装置与导电部件之间。第一导电遮蔽层具有多个开口，且开口的最大宽度小于第一装置所产生的能量的波长。

根据一些实施例，本揭露提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于装置上方。半导体装置结构包括一第一导电遮蔽层位于装置与导电部件之间，第一导电遮蔽层具有多个第一开口。半导体装置结构包括一第二导电遮蔽层位于装置下方，装置位于第一导电遮蔽层与第二导电遮蔽层之间，且第二导电遮蔽层具有多个第二开口。

根据一些实施例，本揭露提供一种半导体装置结构结构。半导体装置结构包括具有一第一开口的一基底。半导体装置结构包括一芯片位于第一开口内，芯片结构包括一装置。半导体装置结构包括一第一导电遮蔽层位于第一开口上方以覆盖芯片结构。第一导电遮蔽层具有多个第二开口。半导体装置结构包括一导电部件位于第一导电遮蔽层上方。

附图说明

图1A绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图1B绘示出根据一些实施例的图1A的半导体装置结构中导电遮蔽层及装置的上视图。

图1C绘示出根据一些实施例的图1A的半导体装置结构中导电遮蔽层及装置的上视图。

图2A绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图2B绘示出根据一些实施例的图2A的半导体装置结构中导电遮蔽层及装置的上视图。

图3绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图4A绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图4B绘示出根据一些实施例的图4A的半导体装置结构中导电遮蔽层及侧边遮蔽结构的立体示意图。

图4C绘示出根据一些实施例的图4A的半导体装置结构中导电遮蔽层及侧边遮蔽结构的分解示意图。

图4D绘示出根据一些实施例的图4A的半导体装置结构中导电遮蔽层及侧边遮蔽结构的立体示意图。

图4E绘示出根据一些实施例的图4A的半导体装置结构中导电遮蔽层及侧边遮蔽结构的分解示意图。

图5绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图6绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图7绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图8绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图9绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图10绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

图11绘示出根据一些实施例的半导体装置结构的剖面示意图。

【符号说明】

100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100 半导体装置结构

110 芯片结构

111 芯片

112、113、140 装置

114 介电层

115、134、176b、914、1124、1134 接线层

116、136a、136b、136c、136d、176c、916、1126、1136、V1、V2、V3、V4 导电介层连接结构

117、138、172、1128 接垫

120 模塑层

130、176、910、1120、1130 接线结构

132、176a、912、1122、1132 绝缘层

142 上表面