[发明专利]一种光刻胶黏附性的检测方法

权利要求书

1.一种光刻胶黏附性的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上预设相互连接的第一区域和第二区域，于所述第一区域上制备第一薄膜层，于所述第二区域上制备第二薄膜层，所述第一薄膜层的厚度小于所述第二薄膜层的厚度；

步骤S2、于所述晶圆上涂覆一光刻胶层，所述光刻胶层覆盖部分所述第一薄膜层，所述第二薄膜层和另一部分所述第一薄膜层未被所述光刻胶层覆盖，所述光刻胶层与所述第一薄膜层相互重合处具有一重合边缘；

步骤S3、以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一薄膜层和所述第二薄膜层；

步骤S4、根据所述第一薄膜层对应所述重合边缘处的被刻蚀情况判断所述光刻胶层的黏附性。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S4中，采集经过刻蚀后的对应所述重合边缘的所述第一薄膜层以得到一检测样品，通过所述检测样品判断所述光刻胶层的黏附性。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S4中，采用一扫描电镜拍摄所述检测样品以得到一扫描电镜图像，通过观察所述扫描电镜图像中对应所述重合边缘的所述第一薄膜层的刻蚀情况判断所述光刻胶层的黏附性。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述检测样品的具体判断方法如下：

若所述扫描电镜图像中，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的所述第一薄膜层被刻蚀，则所述光刻胶的黏附性较差；

若所述扫描电镜图像中，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的所述第一薄膜层未被刻蚀，则所述光刻胶的黏附性较好。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的被刻蚀的第一薄膜层的面积与所述光刻胶层的黏附性成反比。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层在所述晶圆上方的厚度差的绝对值范围为

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第一薄膜层在所述晶圆上方的厚度范围为

8.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第二薄膜层在所述晶圆上方的厚度范围为

9.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层为二氧化硅，或所述第一薄膜层和所述第二薄膜层为氮化硅。

10.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域为矩形区域。