[发明专利]一种光刻胶黏附性的检测方法

说明书

本发明提供一种光刻胶黏附性的检测方法，包括：提供一晶圆，于晶圆上预设相互连接的第一区域和第二区域，于第一区域上制备第一薄膜层，于第二区域上制备第二薄膜层，第一薄膜层厚度小于第二薄膜层厚度；于晶圆上涂覆一光刻胶层，光刻胶层覆盖部分第一薄膜层，与第一薄膜层相互重合处具有一重合边缘；以光刻胶层为掩膜刻蚀第一薄膜层和第二薄膜层以得到一检测样品；采用一扫描电镜采集检测样品的扫描电镜图像以提供给用户判断光刻胶层的黏附性。本发明的有益效果：有效利用现有晶圆厂的曝光工艺和湿法刻蚀工艺，对光刻胶与晶圆上的薄膜层的黏附力进行评估，无需额外的形变量测机台。

技术领域

本发明涉及湿法刻蚀工艺技术领域，尤其涉及一种光刻胶黏附性的检测方法。

背景技术

利用光刻胶为掩膜采用湿法刻蚀工艺刻蚀晶圆上的薄膜层时，光刻胶的黏附性会影响湿法刻蚀的工艺精度以及最终的产品质量。黏附性差导致严重的侧面腐蚀，线条变宽，甚至可能导致图形全部消失，湿法刻蚀工艺要求光刻胶与下面的衬底有良好的黏附性。例如，在半导体湿法刻蚀SiO₂过程中，光刻胶在SiO₂表面的黏附性必须在可控和稳定的范围，否则会影响对SiO₂的刻蚀精度和最终的产品质量。

如何有效的对光刻胶在晶圆上的黏附性进行量测是一个重要课题，在半导体湿法刻蚀晶圆上的薄膜层时，对光刻胶的选择和湿法刻蚀的工艺参数调整具有很重要的指导意义。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种能快速准确判断光刻胶黏附性的检测方法。

本发明采用如下技术方案：

一种光刻胶黏附性的检测方法，所述检测方法包括：

步骤S1、提供一晶圆，于所述晶圆上预设相互连接的第一区域和第二区域，于所述第一区域上制备第一薄膜层，于所述第二区域上制备第二薄膜层，所述第一薄膜层在所述晶圆上方的厚度小于所述第二薄膜层在所述晶圆上方的厚度；

步骤S2、于所述晶圆上涂覆一光刻胶层，所述光刻胶层覆盖部分所述第一薄膜层，所述第二薄膜层和另一部分所述第一薄膜层未被所述光刻胶层覆盖，所述光刻胶层与所述第一薄膜层相互重合处具有一重合边缘；

步骤S3、以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二薄膜层和所述第一薄膜层；

步骤S4、根据所述第一薄膜层对应所述重合边缘处的被刻蚀情况判断所述光刻胶层的黏附性。

优选的，所述步骤S4中，采集经过刻蚀后的对应所述重合边缘的所述第一薄膜层以得到一检测样品，通过所述检测样品判断所述光刻胶层的黏附性。

优选的，所以步骤S4中，采用一扫描电镜拍摄所述检测样品以得到一扫描电镜图像，通过观察扫描电镜图像中对应所述重合边缘的所述第一薄膜层的刻蚀情况判断所述光刻胶层的黏附性。

优选的，所述检测样品的具体判断方法如下：

若所述扫描电镜图像中，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的所述第一薄膜层被刻蚀，则所述光刻胶的黏附性较差；

若所述扫描电镜图像中，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的所述第一薄膜层未被刻蚀，则所述光刻胶的黏附性较好。

优选的，位于所述重合边缘一侧且位于所述光刻胶下方的被刻蚀的第一薄膜层的面积与所述光刻胶层的黏附性成反比。

优选的，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层在所述晶圆上方的厚度差的绝对值范围为

优选的，所述第一薄膜层在所述晶圆上方的厚度范围为

优选的，所述第二薄膜层在所述晶圆上方的厚度范围为