[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其特征在于：所述半导体激光装置包含：

一基板；

一第一型披覆层，设于所述基板上；

一第一型波导层，设于所述第一型披覆层上；

一有源层，设于所述第一型波导层上，且包含彼此相邻的一发光部及一出光部，其中所述发光部用以产生一激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的一方向发射，且所述出光部包括一第一被动区域、一出光区域及一第二被动区域，其中所述出光区域设在所述第一被动区域及所述第二被动区域之间，所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的一宽度是沿着所述方向而连续性增加，其中所述第一被动区域与所述出光区域之间具有一第一边界，且所述出光区域与所述第二被动区域之间具有一第二边界，所述宽度是通过所述第一边界及所述第二边界之间的一距离来定义；

一第二型波导层，设于所述有源层上；

一第二型披覆层，设于所述第二型波导层上；及

一封盖层，设于所述第二型披覆层上。

2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一型披覆层是一n型披覆层；所述第一型波导层是一n型波导层；所述第二型波导层是一p型波导层；及所述第二型披覆层是一p型披覆层。

3.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一型披覆层是一p型披覆层；所述第一型波导层是一p型波导层；所述第二型波导层是一n型波导层；及所述第二型披覆层是一n型披覆层。

4.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述出光区域的另一部分的一宽度是沿着所述方向而保持一定值。

5.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一边界是一直线型或一拋物线型。

6.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二边界是一直线型或一拋物线型。

7.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述发光部包括一第一被动发光区域、一发光区域与一第二被动发光区域，所述发光区域设于所述第一被动发光区域与所述第二被动发光区域之间，其中所述发光区域的折射率高于所述第一被动发光区域的折射率，且所述发光区域的折射率高于所述第二被动发光区域的折射率。

8.如权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第一被动发光区域与所述第一被动区域之间具有一第一交界，且所述第一被动区域与所述出光区域之间具有一第一边界，所述第一交界与所述第一边界之间夹有一第一角度，其中所述第一角度的范围是介于0.1度至89.9度之间。

9.如权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：所述第二被动发光区域与所述第二被动区域之间具有一第二交界，且所述第二被动区域与所述出光区域之间具有一第二边界，所述第二交界与所述第二边界之间夹有一第二角度，其中所述第二角度的范围是介于0.1度至89.9度之间。