[发明专利]半导体激光装置

说明书

本发明公开一种半导体激光装置，其包含依序设置的基板、第一型披覆层、第一型波导层、有源层、第二型波导层、第二型披覆层及一封盖层。所述有源层包含发光部及出光部，其中所述发光部用以产生激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的方向发射，且所述出光部包括第一被动区域、出光区域及第二被动区域，其中所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的宽度是沿着所述方向而连续性增加。本发明的半导体激光装置所发出的激光光束具有较小的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角，故与光纤耦合时，可具有优选耦合效率，且大致上不影响光输出效率。

技术领域

本发明是涉及一种激光装置，特别是涉及一种半导体激光装置。

背景技术

现有的半导体激光装置主要应用于光学通讯技术、医学中的癌症治疗、固体激光的光学泵浦，以及直接的材料加工处理。对于这些应用而言，半导体激光由于其小的尺寸、大的功率、可以电力驱动以及价格低廉而尤其适合大量制造。

然而，现有的半导体激光装置在远场的垂直光束发散角及水平光束发散角仍具有改善的空间。故，有必要提供一种半导体激光装置，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体激光装置，以解决现有技术的半导体激光装置的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角仍具有改善空间的问题。

本发明的主要目的在于提供一种半导体激光装置，所发出的激光光束具有较小的远场的垂直光束发散角及水平光束发散角，以使本发明实施例的半导体激光装置在与一光纤耦合时，可具有优选耦合效率。

本发明的次要目的在于提供一种半导体激光装置，其在改善远场的垂直光束发散角及水平光束发散角的同时，本发明实施例的半导体激光装置大致上不影响光输出效率。

为达上述的目的，本发明实施例提供一种半导体激光装置，其包含：一基板、一第一型披覆层、一第一型波导层、一有源层、一第二型波导层、一第二型披覆层及一封盖层。所述第一型披覆层设于所述基板上。所述第一型波导层设于所述第一型披覆层上。所述有源层设于所述第一型波导层上，且包含彼此相邻的一发光部及一出光部，其中所述发光部用以产生一激光，所述激光沿着从所述发光部朝向所述出光部的一方向发射，且所述出光部包括一第一被动区域、一出光区域及一第二被动区域，其中所述出光区域设在所述第一被动区域及所述第二被动区域之间，所述出光区域的折射率低于所述第一被动区域的折射率，且所述出光区域的折射率低于所述第二被动区域的折射率，且所述出光区域的一部分的一宽度是沿着所述方向而连续性增加。所述第二型波导层设于所述有源层上。所述第二型披覆层设于所述第二型波导层上。所述封盖层设于所述第二型披覆层上。

在本发明的一实施例中，所述第一型披覆层是一n型披覆层；所述第一型波导层是一n型波导层；所述第二型波导层是一p型波导层；及所述第二型披覆层是一p型披覆层。

在本发明的一实施例中，所述第一型披覆层是一p型披覆层；所述第一型波导层是一p型波导层；所述第二型波导层是一n型波导层；及所述第二型披覆层是一n型披覆层。

在本发明的一实施例中，所述出光区域的另一部分的一宽度是沿着所述方向而保持一定值(a constant value)。

在本发明的一实施例中，所述第一被动区域与所述出光区域之间具有一第一边界，且所述出光区域与所述第二被动区域之间具有一第二边界，所述宽度是通过所述第一边界及所述第二边界之间的一距离来定义。

在本发明的一实施例中，所述第一边界是一直线型或一抛物线型。

在本发明的一实施例中，所述第二边界是一直线型或一抛物线型。