[发明专利]具有多个接触插塞的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种多个接触插塞的制造方法，其特征在于，包含：

形成一晶体管，包含：

形成一源极/漏极区于一虚拟栅极堆叠的一侧；

形成一第一层间介电层，其中该第一层间介电层覆盖该源极/漏极区；以及

以一取代栅极堆叠取代该虚拟栅极堆叠；

形成一第二层间介电层于该第一层间介电层及该取代栅极堆叠上方；

形成一下源极/漏极接触插塞，其中该下源极/漏极接触插塞电性耦合至该源极/漏极区，其中该下源极/漏极接触插塞穿过该第一层间介电层和该第二层间介电层；

形成一第三层间介电层于该第二层间介电层上方；

形成一栅极接触插塞于该第二层间介电层和该第三层间介电层中；以及

形成一上源极/漏极接触插塞，其中该上源极/漏极接触插塞重叠并接触该下源极/漏极接触插塞，其中该上源极/漏极接触插塞穿过该第三层间介电层，且该上源极/漏极接触插塞和该栅极接触插塞是由不同材料所形成。

2.根据权利要求1所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，该栅极接触插塞的一深宽比大于该上源极/漏极接触插塞的一深宽比，且该栅极接触插塞具有高于该上源极/漏极接触插塞的一电阻率。

3.根据权利要求1所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，该上源极/漏极接触插塞及该栅极接触插塞是通过分开的制程所形成。

4.根据权利要求1所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，该栅极接触插塞的一整体是由沉积一均相材料所形成，该上源极/漏极接触插塞是通过沉积一复合结构所形成，且该复合结构包含一下层和位于该下层上方的一上层。

5.根据权利要求4所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，该栅极接触插塞的该整体是由金属氮化物所形成。

6.根据权利要求5所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，该栅极接触插塞的该整体是由氮化钛所形成。

7.根据权利要求1所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，以该取代栅极堆叠取代该虚拟栅极堆叠的操作包含：

移除该虚拟栅极堆叠，以形成一沟渠于该第一层间介电层中；

形成一栅极间隙壁于该沟渠中；以及

形成该取代栅极堆叠于该沟渠中。

8.根据权利要求1所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，形成该下源极/漏极接触插塞的操作包含：

蚀刻该第二层间介电层及该第一层间介电层，以形成一源极/漏极接触开口；

形成一接触间隙壁于该源极/漏极开口中；以及

将一金属材料填充至该源极/漏极开口中，以形成该下源极/漏极接触插塞。

9.根据权利要求8所述的多个接触插塞的制造方法，其特征在于，形成该接触间隙壁的操作包含形成一高介电常数间隙壁。

10.一种具有多个接触插塞的装置，其特征在于，包含：

一第一层间介电层；

一栅极堆叠，位于该第一层间介电层中；

一第二层间介电层，位于该第一层间介电层上方；

一源极/漏极区域，相邻于该栅极堆叠；

一下源极/漏极接触插塞，位于该源极/漏极区域上方并电性耦合至该源极/漏极区域，其中该下源极/漏极接触插塞穿过该第一层间介电层和该第二层间介电层；

一上源极/漏极接触插塞，位于该下源极/漏极接触插塞上方并接触该下源极/漏极接触插塞；以及

一栅极接触插塞，位于该栅极堆叠上方并接触该栅极堆叠，其中该上源极/漏极接触插塞以及该栅极接触插塞是由不同材料所形成。

11.根据权利要求10所述的具有多个接触插塞的装置，其特征在于，该上源极/漏极接触插塞以及该栅极接触插塞具有不同的电阻值。