[发明专利]铁电场效应晶体管、铁电内存与数据读写方法及制造方法

权利要求书

1.一种铁电场效应晶体管，其特征在于，该铁电场效应晶体管包括：

一半导体基底，具有一上表面，该半导体基底由半导体材料制成，并掺杂有一第一型导电材料；

一第一掺杂区，形成于该半导体基底中，该第一掺杂区掺杂有一第二型导电材料；

一第二掺杂区，形成于该半导体基底中并与该第一掺杂区分离，该第二掺杂区掺杂有该第二型导电材料；

一介电层，设置于该上表面之上，该介电层接触该上表面并覆盖至少部分的该第一掺杂区及至少部分的该第二掺杂区；

一极性保存区，与该半导体基底设置于该介电层的相对两侧，该极性保存区包括一铁电层以及一反铁电层；以及

一导体层，与该介电层设置于该极性保存区的相对两侧。

2.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，该反铁电层设置于该介电层上并接触该介电层，该铁电层设置于该反铁电层上并接触该反铁电层；或是该铁电层设置于该介电层上并接触该介电层，该反铁电层设置于该铁电层上并接触该铁电层。

3.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，该极性保存区还包括一电荷拦阻层。

4.根据权利要求3所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，该反铁电层设置于该介电层上并接触该介电层，该电荷拦阻层设置于该反铁电层上并接触该反铁电层，该铁电层设置于该电荷拦阻层上并接触该电荷拦阻层。

5.根据权利要求3所述的铁电场效应晶体管，其特征在于，该铁电层设置于该介电层上并接触该介电层，该反铁电层设置于该铁电层上并接触该铁电层，该电荷拦阻层设置于该反铁电层上并接触该反铁电层。

6.一种铁电内存，其特征在于，该铁电内存包括：

多个内存细胞区，该多个内存细胞区中的一选定内存细胞区电性耦接至一位写入线、一位读取线、一字线及一板线，且该选定内存细胞区包括：

一非铁电场效应晶体管，包括一非铁电场效应晶体管控制端、一第一非铁电场效应晶体管通路端与一第二非铁电场效应晶体管通路端，该非铁电场效应晶体管控制端电性耦接至该字线，该第一非铁电场效应晶体管通路端电性耦接至该位写入线；以及

一铁电场效应晶体管，包括一铁电场效应晶体管控制端、一第一铁电场效应晶体管通路端与一第二铁电场效应晶体管通路端，该铁电场效应晶体管控制端电性耦接至该第二非铁电场效应晶体管通路端，该第一铁电场效应晶体管通路端电性耦接至该位读取线，该第二铁电场效应晶体管通路端电性耦接至该板线。

7.一种铁电内存的数据写入方法，适用于如权利要求6所述的铁电内存，其特征在于，该数据写入方法包括：

提供代表所要储存的数据的一第一电位至该位写入线；

提供一第二电位至该位读取线；

提供该第二电位至该板线；以及

提供一第三电位至该字线，

其中，该第三电位足以使该非铁电场效应晶体管为开启状态，该第一电位与该第二电位之间的电位差足以程序化该铁电场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的铁电内存的数据写入方法，其特征在于，该第二电位的绝对值为足以程序化该铁电场效应晶体管的电位差的绝对值的三分之一。

9.一种铁电内存的数据读取方法，适用于如权利要求6所述的铁电内存，其特征在于，该数据读取方法包括：

提供一第一电位至该位写入线；

提供一第二电位至该板线；

提供一第三电位至该字线；以及

取得该位读取线上的电位以作为该铁电内存所储存的数据，

其中，该第三电位足以使该非铁电场效应晶体管为开启状态，该第一电位的绝对值大于该第二电位的绝对值。

10.根据权利要求9所述的铁电内存的数据读取方法，其特征在于，该第二电位等同于一预设电位，且该预设电位的绝对值为足以程序化该铁电场效应晶体管的电位差的绝对值的三分之一。