[发明专利]提升PERC背钝化效果的电池制备方法有效
申请号: | 201710451290.5 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN107221580B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 刘阳;孙铁囤;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 于桂贤 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 perc 钝化 效果 电池 制备 方法 | ||
1.一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法,包括在硅片上进行清洗、扩散、洗磷、背钝化、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷,其特征在于,在洗磷和背钝化工艺之间增加热氧化工艺;
所述热氧化具体包括,
步骤1:将硅片送入炉中,其中进舟时间为750s,通大氮进行保护,其中,大氮的流量为8000~15000sccm;
步骤2:硅片送入炉中过后,通小氧进行热氧化,小氧的流量范围为20~200sccm,通氧时间为3000~5000s,同时通大氮,大氮的流量范围为8000~15000sccm之间;
步骤3:热氧化结束后,关闭小氧流量器,继续通大氮进行保护,其中,大氮的流量范围为8000~15000sccm之间,出舟时间为750s。
2.如权利要求1所述的提升PERC背钝化效果的电池制备方法,其特征在于:具体步骤包括:
清洗,将硅片在HF/HNO3混合溶液中清洗,去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等;
扩散,将硅片进行常压扩散,其方阻控制在70Ω~150Ω范围内;
洗磷,利用HF/HNO3和KOH进行清洗,除去表面的PSG和进行背面抛光;
热氧化,洗磷过后,将硅片送入氧化炉中,温度控制在500℃~900℃范围内,时间控制在50min~200min范围内;
背钝化:利用MAIA进行背钝化,利用MAIA设备同时镀上AlOx和SiNx层,其中总厚度控制在50nm~300nm之间;
正面镀膜,为减少正面反射,增加载流子寿命,提高电流,利用管式PECVD进行正面镀膜,其膜厚控制在50nm~120nm之间;
激光刻槽,为了导出电流,将硅片背面进行激光开凿,其中孔直径控制在50um~250um之间;
丝网印刷,将刻槽后的硅片进行丝网印刷烧结背铝浆、背电极和正电极即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的