[发明专利]提升PERC背钝化效果的电池制备方法

说明书

本发明提供一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括清洗、扩散、洗磷、热氧化、背钝化、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷。本发明提供的一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，在洗磷后经热氧化解决洗磷后存在的杂质等，并且热氧化过程中硅片表面易生成一层薄薄的SiOx层，这层SiOx层可以提高MAIA的背钝化效果，增加氧化铝的致密性，改善了EL等良率问题，从而提升MAIA的背钝化效率。

技术领域

本发明涉及电池工艺技术领域，特别是涉及一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法。

背景技术

目前，背钝化电池作为一种新兴的高效电池技术，有效的钝化了电池背面复合，并降低了背面的发射率，从而有效的吸收了长波段的光，使得电池效率有了大的飞跃；并且由于钝化层的介入，电池片的翘曲度也得到了一定的改善。

常规的电池制备工艺依次经过清洗、扩散、洗磷、MAIA、正镀、激光刻槽和印刷等几个步骤，其中，硅片在洗磷后直接做MAIA，但是，洗磷过后存在风刀未彻底吹干，硅片表面容易残留部分的药液，表面存在水纹印等，这些残留物会影响AlOx，影响MAIA的背钝化效果不好，最终导致电致发光EL的异常，如水纹印，黑边，黑点等，从而影响效率。其中，MAIA是指MEYER BURGER TECHNOLOGY公司的背钝化设备。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：为了克服现有技术中洗磷后残留药液和水纹印等的不足，本发明提供一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法。

本发明解决其技术问题所要采用的技术方案是：一种提升PERC背钝化效果的电池制备方法，包括在硅片上进行清洗、扩散、洗磷、MAIA、正面镀膜、激光刻槽和丝网印刷，其特征在于，在洗磷和MAIA工艺之间增加热氧化工艺。

所述热氧化具体包括，

步骤1：将硅片送入炉中，其中进舟时间为750s，通大氮进行保护，其中，大氮的流量为8000～15000sccm；

步骤2：硅片送入炉中过后，通小氧进行热氧化，小氧的流量范围为20～200sccm，通氧时间为3000～5000s，同时通大氮，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间；

步骤3：热氧化结束后，关闭小氧流量器，继续通大氮进行保护，其中，大氮的流量范围为8000～15000sccm之间，出舟时间为750s。

大氮在整个热氧化过程中起到了保护气体和携带气体的作用，先通过通大氮将炉中的空气排出，然后通小氧，由于氧的流量很小，直接通入炉内不好控制，易造成分布不均匀，使硅片的热氧化反应也不均匀，采用大氮作为携带体，能充分与小氧混合，使硅片的热氧化效果更好，热氧化结束后，炉内硅片温度还会维持在一个较高的温度范围内，因此，采用继续通大氮一方面是避免空气进入炉内产生多余的反应，对硅片起到一定的保护作用；另一方面，采用大氮带走炉内的热量可以实现降温散热。

上述步骤具体包括：

清洗，将硅片在HF/HNO₃混合溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕以及金属离子等；

扩散，将硅片进行常压扩散，其方阻控制在70Ω～150Ω范围内；

洗磷，利用HF/HNO₃和KOH进行清洗，除去表面的PSG和进行背面抛光；

热氧化，洗磷过后，将硅片送入氧化炉中，温度控制在500℃～900℃范围内，时间控制在50min～200min范围内；

背钝化：利用MAIA进行背钝化，利用MAIA设备同时镀上AlOx和SiNx层，其中总厚度控制在50nm～300nm之间；

正面镀膜，为减少正面反射，增加载流子寿命，提高电流，利用管式PECVD进行正面镀膜，其膜厚控制在50nm～120nm之间；