[发明专利]一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法

权利要求书

1.一种制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，所述方法包括以下步骤：

1)将尺寸为14cm×6cm的基底进行清洗；

2)在盛放基底的石墨舟上方放置与基底尺寸相同的钼箔或钨箔，钼箔或钨箔与基底高度差为10～30mm，在相对于基底的气流上游放置硫属单质；

3)去除反应腔残留的空气，通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至100～200℃和680～900℃，之后恒温10-18分钟，在基底上生长得到大面积均匀的单层过渡金属硫属化合物。

2.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃。

3.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，所述基底的厚度为2mm。

4.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，所述基底的清洗按照如下方式处理：将基底依次置于去离子水、丙酮和异丙醇中进行超声清洗，随后用氮气吹干，完成基底的清洗。

5.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，在相对于基底的气流上游12～15cm放置硫属单质。

6.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，所述硫属单质的质量为50～150g，所述硫属单质包括硫或硒。

7.根据权利要求1所述的制备大面积均匀单层过渡金属硫属化合物的方法，其特征在于，所述氩气的流量为50～100sccm。