[发明专利]用于介电阻隔层的衬垫层

权利要求书

1.一种形成集成电路装置的方法，其包含：

形成上覆于集成电路装置的金属层的阻隔层，其中，该阻隔层具有第一厚度并且包含使该金属层的粒子扩散缓和的介电材料；

形成上覆于该阻隔层并且包括含硅材料的衬垫层，其中，该衬垫层具有第二厚度且该第二厚度小于该阻隔层的该第一厚度；

在该阻隔层中形成使该金属层曝露的贯孔；以及

形成导电材料在该贯孔中并且接触该衬垫层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该介电材料包含掺杂氮的碳化物(NDC)。

3.如权利要求1所述的方法，其更包含：

运用化学机械平坦化(CMP)程序以移除该贯孔外部的导电材料；以及

在该衬垫层上终止该化学机械平坦化程序，藉此响应于该化学机械平坦化程序使该阻隔层的介电材料移除缓和。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该含硅材料是氮化硅(SiN)。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该含硅材料是硅(Si)。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该导电材料包含氮化钛(TiN)。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该导电材料是二端记忆体装置的电极。

8.如权利要求1所述的方法，其更包含：

进行第一程序，其包含将该导电材料的第一部分与该含硅材料的一部分移除的化学机械平坦化(CMP)程序；以及

在该第一程序之后进行第二程序，其包含将氧化物从该导电材料的通过该化学机械平坦化程序所曝露的表面移除、并且将该导电材料的第二部分移除的氟化氢(HF)为基础的清洁程序，产生该导电材料的清洁顶表面。

9.如权利要求8所述的方法，其中，介于该导电材料的该清洁顶表面与该阻隔层的相邻顶表面之间的阶梯高度差小于五埃。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该阻隔层的厚度足以防止该金属层的粒子穿过该阻隔层的该厚度扩散。

11.如权利要求8所述的方法，其中，该贯孔的高度经选择而在该贯孔中形成该导电材料期间，缓和该导电材料内空洞的发展。

12.如权利要求8所述的方法，其更包含形成上覆于该导电材料的电阻性切换层。

13.一种形成集成电路装置的方法，其包含：

形成上覆于二端记忆体装置的金属层的阻隔层，其中，该阻隔层包含使该金属层的粒子扩散缓和的介电材料，该介电材料具有第一厚度；

上覆于该阻隔层形成包含具有相对介电系数值K大于7.0的介电材料的衬垫层，该衬垫层具有小于该第一厚度的第二厚度；

在该阻隔层中形成使该金属层曝露的贯孔；以及

形成包含导电材料的导体材料在该贯孔中并且接触该衬垫层，该导体材料在该贯孔内形成二端记忆体装置的第一端材料。

14.如权利要求13所述的方法，其更包含进行化学机械平坦化(CMP)程序并且移除该导电材料的第一部分、及移除该衬垫材料的一部分、以及在该衬垫层上终止该化学机械平坦化程序。

15.如权利要求13所述的方法，其更包含进行氟化氢(HF)为基础的清洁程序并且将氧化物从该导电材料移除、将该导电材料的第二部分移除、以及产生该导电材料的已处理顶表面。

16.如权利要求15所述的方法，更包含上覆于该导电材料的该已处理顶表面形成响应于电气刺激而变更状态的电阻性切换层，以及其中，该电阻性切换层至少部分包含具有相对介电系数值K大于7.0的该介电材料。