[发明专利]一种圆片清洗机用的喷头及圆片清洗机有效
申请号: | 201710452478.1 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN107359107B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 丁万春 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 喷头 | ||
本发明提供了一种圆片清洗机用的喷头及圆片清洗机,所述喷头包括喷嘴和套于所述喷嘴外可旋转的水流形状调节环2,水流大小控制阀门3,水流大小控制阀门3通往水流形状调节环2一侧设置有水流扁平通道5,清洗液经过水流大小控制阀门3调节水流大小后流入水流扁平通道5。本发明所提供的的圆片清洗机用喷头可以用于清洗不同尺寸的圆片而无需更换喷头,能够在充分清洗圆片的同时不降低机器的产能和效率。
技术领域
本发明涉及一种圆片清洗机用的喷头及圆片清洗机,属于集成电路封装技术领域。
背景技术
晶圆是硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。制造半导体器件时,通常是在一个公共半导体圆片上形成多个芯片,这要经过多道处理工序,包括腐蚀、涂敷、掺杂、镀敷等工序,直到最后形成多层结构为止。
随着半导体工艺技术向精细化方向迈进,大规模集成电路(LSI)封装过程中,轻微的污染(例如微粒、金属和有机物等)将影响大规模集成电路的良率和可靠性,导致LSI电路产品的良率、稳定性下降。因此,在每一工艺流程环节里多要清除掉附着在硅圆片上的污染物,防止污染扩散到下一工艺。晶圆清洗对半导体工业的重要性早在50年代初即已引起人们的高度重视,这是由于晶圆表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和产品良率。随着集成电路的发展,电路的密集度日益提高、微结构的尺寸日益微化,污染物对器件的影响也愈加突出,以致于洁净表面的制备技术已成为制作各种集成电路的关键技术。晶圆表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒子或膜的形式以化学或物理吸附的方式存在晶圆表面或晶圆自身的氧化膜中。晶圆清洗要求既能去除各类杂质又不损坏晶圆。清洗可分为物理清洗和化学清洗,化学清洗又包括水溶液清洗和气相清洗等。由于有较多的方案可供选用,价廉而安全,对杂质和基体选择性好,可将杂质清洗至非常低的水平等诸多优势,水溶液清洗在清洗技术中一直占据主导地位。
晶圆清洗技术的研究和改进近年来被众多半导体设备生产制造厂商所关注。部分企业对上述清洗装置进行了改进,但都致力于提高清洗的质量。例如,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司对上述装置进行了改进,其在申请号为CN03279085.6的中国实用新型专利公开了一种晶圆清洗液水柱位置监控装置,用于晶圆清洗液水柱位置检测,其包含光学信号发射装置,具有光学信号发射源,该光学信号发射装置设于一晶圆清洗承载台的第一侧边,且该光学信号发射源中心正对该晶圆清洗承载台的旋转中心;光学信号接收装置,设于一晶圆清洗承载台第一侧边的对面侧边,具有接收该光学信号发射源射出的光学信号能力;及信号处理装置,与该光学信号接收装置相连接,可判定该光学信号接收装置的接收状况;其中该光学信号接收装置在该光学信号穿越清洗液水柱时接收到较微弱的光学信号;由晶圆清洗液水柱位置检测装置检测该清洗液水柱位置的信号来达成告知晶圆清洗系统的操作人员,以做出适当处理。
综上所述,现有技术中没有解决喷头的结构如何合理设计,才能达到机台产能与清洗效果的最佳化这一技术问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种圆片清洗机用的喷头:包括喷嘴和套于所述喷嘴外可旋转的水流形状调节环2,水流大小控制阀门3,水流大小控制阀门3通往水流形状调节环2一侧设置有水流扁平通道5,清洗液经过阀门3调节水流大小后流入水流扁平通道5。
进一步,所述水流扁平通道5的横截面呈椭圆柱形,清洗液经过水流大小控制阀门3调节水流大小后流入水流扁平通道5,其形状由圆柱形变为椭圆柱形,而后流至水流形状调节环2,通过水流形状调节环2可调节水流的形状。所述水流形状调节环2和所述喷嘴螺纹连接;水流形状调节环2为一阀门,通过螺纹与所述喷嘴连接,其内部横截面为椭圆形。旋转水流形状调节环可控制出水孔的出水宽度x,经过调节出水宽度x后的清洗液直接喷出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造