[发明专利]底栅型TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板(1)，在基板(1)上依次沉积第一金属层(20)、第一绝缘氧化物层(30)，对第一绝缘氧化物层(30)及第一金属层(20)进行图案化处理，由第一金属层(20)得到栅极金属层(2)，由第一绝缘氧化物层(30)得到与所述栅极金属层(2)相同图案形状的第一蚀刻阻挡层(3)；

步骤S2、在所述第一蚀刻阻挡层(3)及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积并图案化形成有源层(5)；

步骤S3、在所述有源层(5)及栅极绝缘层(4)上依次沉积第二金属层(60)、以及与所述第一绝缘氧化物层(30)相同材料及厚度的第二绝缘氧化物层(70)，对第二绝缘氧化物层(70)及第二金属层(60)进行图案化处理，由第二金属层(60)得到源漏极金属层(6)，由第二绝缘氧化物层(70)得到与所述源漏极金属层(6)相同图案形状的第二蚀刻阻挡层(7)；

步骤S4、在所述第二蚀刻阻挡层(7)与栅极绝缘层(4)上沉积钝化保护层(8)，在钝化保护层(8)上形成光阻图案，以光阻图案为遮蔽层，采用第一蚀刻气体对钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第一蚀刻气体在栅极金属层(2)上方刻穿钝化保护层(8)及栅极绝缘层(4)而露出第一蚀刻阻挡层(3)的表面，形成第一初级过孔(85’)，同时所述第一蚀刻气体在所述源漏极金属层(6)上方刻穿钝化保护层(8)而露出第二蚀刻阻挡层(7)的表面，形成第二初级过孔(86’)，停止此次干法蚀刻；

步骤S5、采用第二蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)进行干法蚀刻，蚀刻过程中，所述第二蚀刻气体将第一初级过孔(85’)下方的第一蚀刻阻挡层(3)刻掉而露出栅极金属层(2)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、栅极绝缘层(4)、及第一蚀刻阻挡层(3)的第一过孔(85)，同时所述第二蚀刻气体将第二初级过孔(86’)下方的第二蚀刻阻挡层(7)刻掉而露出源漏极金属层(6)的表面，形成贯穿钝化保护层(8)、及第二蚀刻阻挡层(7)的第二过孔(86)；

步骤S6、在所述钝化保护层(8)上沉积并图案化形成透明导电层(9)，所述透明导电层(9)经由所述第一过孔(85)与栅极金属层(2)相连接，所述透明导电层(9)经由所述第二过孔(86)与源漏极金属层(6)相连接；

所述步骤S4中所使用的第一蚀刻气体对第一蚀刻阻挡层(3)及第二蚀刻阻挡层(7)的蚀刻速率小于对栅极绝缘层(4)及钝化保护层(8)的蚀刻速率。

2.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘氧化物层(30)与第二绝缘氧化物层(70)的材料均为Al₂O₃。

3.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘氧化物层(30)、及第二绝缘氧化物层(70)均通过物理气相沉积法、或原子层沉积法沉积形成。

4.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中沉积形成的第一绝缘氧化物层(30)的厚度为

5.如权利要求1所述的底栅型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中在钝化保护层(8)上形成光阻图案的过程具体为，在钝化保护层(8)上涂布光阻膜，并对光阻膜进行曝光、显影，从而形成光阻图案。