[发明专利]底栅型TFT基板的制作方法

说明书

本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，在栅极金属层上形成第一蚀刻阻挡层，在源漏极金属层上形成第二蚀刻阻挡层，然后在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成过孔时，先采用第一蚀刻气体蚀刻到第一蚀刻阻挡层、及第二蚀刻阻挡层上，对应在栅极金属层上方及源漏极金属层上方分别形成第一初级过孔及第二初级过孔，再采用第二蚀刻气体同时对第一初级过孔下方第一蚀刻阻挡层、及第二初级过孔下方的第二蚀刻阻挡层进行蚀刻，由于第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层为相同的材料及厚度，因此可同时被刻穿，从而同步在栅极金属层上方形成第一过孔、在源漏极金属层上方形成第二过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种底栅型TFT基板的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。因此，不论是LCD的显示面板，还是AMOLED的显示面板，通常都具有一TFT基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

图1为现有一种底栅型TFT基板的结构示意图，如图1所示，所述底栅型TFT基板包括玻璃基板100、设于玻璃基板100上的栅极金属层200、设于栅极金属层200与玻璃基板100上的栅极绝缘层(GI)300、设于栅极绝缘层300上的有源层400、设于有源层400与栅极绝缘层300上的源漏极金属层500、设于源漏极金属层500与栅极绝缘层300上的钝化层(PV)600；其中，栅极金属层200与源漏极金属层500均经图案化处理形成，所述栅极金属层200包括栅极210、及栅极接线端子220；所述源漏极金属层500包括源极510、漏极520、及源漏极接线端子530。

另外，形成钝化层600之后，还需要在源漏极金属层500、及栅极金属层200上方的电绝缘层上一次性蚀刻形成通孔，再镀覆透光型导电薄膜，以实现栅极接线端子220、源漏极接线端子530与外围的电路连接，及漏极520与像素电极的连接等，即需要在源漏极金属层500上方的钝化层600上蚀刻形成通孔，在栅极金属层200上方的栅极绝缘层300与钝化层600上蚀刻形成通孔，然而在蚀刻过程中，在源漏极金属层500上方形成通孔需要蚀刻电绝缘层的厚度为钝化层600的厚度h1，而在栅极金属层200上方形成通孔需要蚀刻电绝缘层的厚度为钝化层600加栅极绝缘层300的厚度h1+h2，并为了保证栅极金属层200上方栅极绝缘层300被刻穿，往往需要在栅极金属层200上方电绝缘层厚度(h1+h2)的基础上过刻30％以上，因此在蚀刻过程中，源漏极金属层500上方的电绝缘层上会首先被刻穿，从而造成源漏极被严重过刻，进而影响源漏极接触电阻和线路连接。

发明内容

本发明的目的在于提供一种底栅型TFT基板的制作方法，通过在栅极金属层上及源漏极金属层上形成蚀刻阻挡层，使得在栅极金属层上方及源漏极金属层上方同步形成过孔，避免源漏极金属层被严重过刻而影响源漏极接触电阻和线路连接。

为实现上述目的，本发明提供一种底栅型TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供一基板，在基板上依次沉积第一金属层、第一绝缘氧化物层，对第一绝缘氧化物层及第一金属层进行图案化处理，由第一金属层得到栅极金属层，由第一绝缘氧化物层得到与所述栅极金属层相同图案形状的第一蚀刻阻挡层；

步骤S2、在所述第一蚀刻阻挡层及基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积并图案化形成有源层；