[发明专利]一种片上嵌入式Flash的内建自测试结构

权利要求书

1.一种片上嵌入式Flash的内建自测试结构，其特征在于：包括自定义控制模块、FBIST控制器、ERASE模块和BYPASS模块；

自定义控制模块用于擦除操作和读写操作的状态控制与调度；

FBIST控制器为读写操作的算法实现电路，FLASH的读出数据通过FBIST控制器内部比较器与期望值进行自动比对，FBIST控制器读写操作的执行受控于自定义控制模块，通过测试流程控制实现对控制信号的接收、停止或唤醒算法执行以及擦除操作的执行；

ERASE模块在自定义控制模块的调度下负责控制FLASH的擦除操作；

BYPASS模块用于实现电路全扫描测试模式下的FLASH旁路功能；

当FBIST控制器使能后，FBIST控制器发起操作，依据内部控制器状态机与自定义控制模块和ERASE模块的相互配合，实现对其地址、读写的序列操作和擦除切换，并将读出结果与片上比较器进行测试结果比对，输出结果表征信号，测试结束时，测试完成标识跳高；

在测试过程中若测试存在失效，则依靠诊断模块，采集失效数据；

诊断模块由诊断控制、诊断扫描两个状态机及保持控制模块组成，诊断控制状态机实现整个诊断过程的控制，诊断扫描状态机用于控制诊断数据的串行输出。

2.如权利要求1所述的片上嵌入式Flash的内建自测试结构，其特征在于：诊断模块与FBIST控制器通过信号握手的方式实现整个自测试和诊断工作的进行。

3.如权利要求1所述的片上嵌入式Flash的内建自测试结构，其特征在于：当期望值与实际输出不匹配时，FBIST控制器的测试失效信号跳高，并通过failure信号与诊断控制状态机和诊断扫描状态机交互，同时使能诊断模块，进入诊断模式，通过保持控制模块控制BIST电路在失效诊断阶段算法的保持和恢复，诊断模块通过monitor端口并行采集失效时的相关数据，并将失效时的相关数据通过dout端口串行输出至片外，待失效信息移位完成，FBIST控制器再次启动，继续后续的测试算法操作。