[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在鳍的源极/漏极区和与所述鳍相邻的隔离区的上方形成牺牲薄膜，其中，所述牺牲薄膜形成在第一栅电极和第二栅电极之间，第一栅极掩模位于所述第一栅电极上方，并且第二栅极掩模位于所述第二栅电极上方；

移除所述牺牲薄膜的在所述隔离区上方的第一部分以形成第一凹口，保留所述牺牲薄膜的在所述源极/漏极区上方的第二部分；

在移除所述牺牲薄膜的第一部分之后，移除所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的位于所述牺牲薄膜的第一部分之间的上部，而所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的位于所述牺牲薄膜的第二部分之间的上部未被移除；

在所述第一凹口中形成介电层，所述介电层接触剩余的第一栅极掩模和剩余的第二栅极掩模并且暴露所述剩余的第一栅极掩模和所述剩余的第二栅极掩模的位于所述牺牲薄膜的第二部分之间的部分；

移除所述牺牲薄膜的所述第二部分以形成第二凹口；以及

在所述第二凹口中形成导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的上方延伸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一侧壁间隔件沿所述第一栅电极和所述第一栅极掩模的侧壁延伸，并且第二侧壁间隔件沿所述第二栅电极和所述第二栅极掩模的侧壁延伸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，移除所述第一栅极掩模的所述上部部分使所述第一栅极掩模凹陷大于4nm的距离。

5.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：在移除所述牺牲薄膜的所述第二部分之后，移除所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的上部部分，其中，在形成所述导电层之后，所述导电层接触所述第一栅极掩模。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，移除所述第一栅极掩模的所述上部部分使所述第一栅极掩模凹陷大于7nm的距离。

7.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体结构上方形成第一栅电极和第二栅电极，其中，掩模层位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上方；

在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间形成第一牺牲薄膜；

图案化所述第一牺牲薄膜以使所述第一牺牲薄膜的剩余部分保留在所述半导体结构的上方并且使得第一凹口在所述第一牺牲薄膜的所述剩余部分的相对侧上形成在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；

在图案化所述第一牺牲薄膜之后，移除所述掩模层的不位于所述第一牺牲薄膜的剩余部分之间的上部，而所述掩模层的位于所述第一牺牲薄膜的剩余部分之间的上部未被移除；

在所述第一凹口中形成层间电介质(ILD)，所述层间电介质接触所述剩余的掩模层并且暴露所述剩余的掩模层的位于所述第一牺牲薄膜的剩余部分之间的部分；

移除所述第一牺牲薄膜的所述剩余部分以形成第二凹口；以及

在所述第二凹口中形成导电部件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一牺牲薄膜为硅。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在形成所述第一栅电极和所述第二栅电极之前，形成第一伪栅电极和第二伪栅电极；

在形成所述第一牺牲薄膜之前，在所述第一伪栅电极和所述第二伪栅电极之间形成第二牺牲薄膜；

在形成所述第一牺牲薄膜之前，以所述第一栅电极和所述第二栅电极代替所述第一伪栅电极和所述第二伪栅电极；以及

在代替所述第一伪栅电极和所述第二伪栅电极之后，移除所述第二牺牲薄膜。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体结构包括一个或多个半导体鳍、一个或多个半导体纳米线。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电部件具有锥形轮廓以使顶部表面和侧壁表面之间的角度大于90°。