[发明专利]半导体封装件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件的制造方法，包括如下步骤：

对包含至少一种金属且具有第一面和与所述第一面对置的第二面的基材的所述第一面及位于所述第一面与所述第二面之间的侧面部进行蚀刻，且在所述第一面及所述侧面部附着与所述金属不同的其他金属；

在所述基材的所述第二面配置包括外部端子的半导体装置，使得所述外部端子不与所述第二面对置；

形成用于覆盖所述半导体装置的树脂绝缘层；

在所述树脂绝缘层上形成第一导电层；

在所述第一导电层和所述树脂绝缘层形成用于使所述半导体装置的所述外部端子露出的开口部；以及

在所述基材的所述第一面和所述侧面部、所述第一导电层上以及所述开口部内形成镀层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述基材为不锈钢基材。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述蚀刻为使用包含所述其他金属的离子的蚀刻液的湿法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述其他金属的离子化倾向小于所述基材所包含的至少一种所述金属的离子化倾向。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，利用无电解镀敷法来形成所述镀层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，还包括使所述镀层生长来形成第二导电层的步骤。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述树脂绝缘层具有填料。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述填料包含无机材料。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件的制造方法，其中，还包括利用激光对所述第一导电层的表面进行粗面化处理的步骤。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件的制造方法，其中，关于所述开口部的形成，是通过以激光照射所述第一导电层和所述树脂绝缘层而一并地形成的。

12.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述蚀刻为使用包含所述其他金属的离子的蚀刻液的湿法蚀刻。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述其他金属的离子化倾向小于所述基材所包含的至少一种金属的离子化倾向。

14.根据权利要求2所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。

16.根据权利要求3所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述其他金属的离子化倾向小于所述基材所包含的至少一种金属的离子化倾向。

17.根据权利要求16所述的半导体封装件的制造方法，其中，所述镀层包含与所述其他金属相同的金属。