[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：

台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、所述p型层的上方的有源层、以及所述有源层的上方的n型层；

电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在所述台面部的左右具有p型电流阻挡层、所述p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层、以及所述n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及

p型化工序，对所述i型或p型的电流阻挡层、所述n型电流阻挡层的上侧的部分、以及所述n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使所述n型电流阻挡层的上侧的部分和所述n型层的左右的部分成为p型半导体。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述衬底是InP，

所述p型层是掺杂有Zn的InP，

所述n型层是掺杂有S的InP，

所述p型电流阻挡层是掺杂有Zn的InP，

所述n型电流阻挡层是掺杂有S的InP，

所述p型杂质是Zn。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在所述p型化工序中，将成为所述p型杂质的扩散源的膜形成于电流限制部之上，使所述p型杂质进行固相扩散。

4.一种半导体元件，其特征在于，具备：

衬底；

台面部，其具有在所述衬底的上方形成的p型层、在所述p型层的上方形成的有源层、以及在所述有源层的上方形成的n型层；以及

电流限制部，其在所述台面部的左右具有n型电流阻挡层和位于所述n型电流阻挡层上下的p型电流阻挡层，

所述n型层的宽度比所述有源层小，

所述p型层、所述有源层、所述n型层与所述n型电流阻挡层被所述p型电流阻挡层隔开。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，

所述n型层的宽度比所述有源层的宽度小100nm以上。