[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件

说明书

本发明的目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法和通过该方法制造的半导体元件。具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。

技术领域

本发明涉及例如在光通信等中使用的半导体元件的制造方法以及通过该制造方法制造的半导体元件。

背景技术

通信系统激光器具备晶闸管构造的电流限制层。该电流限制层有时被称为BH构造，有时被称为电流阻挡层。不应该由于形成电流限制层而使得n型包覆层与电流限制层的n型区域连接。将n型包覆层与电流限制层的n型区域连接这一情况称为“n连接”。为了抑制n连接，有时是优化电流限制层中的杂质浓度，有时是在生长过程中导入蚀刻性气体而对电流限制层的形状进行控制。

在专利文献1中，公开了下述技术，即，通过使p型的电流阻挡层中的高浓度杂质扩散至n型的电流阻挡层，从而使n型的电流阻挡层的台面部附近的一部分区域反转成p型。

专利文献1：日本特开昭63-202985号公报

在电流限制层的生长过程中的蚀刻不充分的情况下、或者是在台面部或选择性生长掩膜附近发生了晶体的异常生长的情况下，有时会发生“n连接”。在电流限制层的形成过程中导入蚀刻性气体的情况下，若蚀刻性气体的导入量产生波动、或产生了难以蚀刻的部分，则不能可靠地消除n连接。另外，在提高电流阻挡层的p型杂质浓度的情况下，p型杂质扩散至有源层而使元件特性变差、或p型杂质扩散至n型电流阻挡层而损害电流泄露的抑制效果。尚未发现无不良影响地抑制n连接的方法。

发明内容

本发明是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法、和通过该方法制造的半导体元件。

本发明涉及的半导体元件的制造方法的特征在于，具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层、以及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层、以及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分、以及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。

本发明涉及的半导体元件的特征在于，具备：衬底；台面部，其具有在该衬底的上方形成的p型层、在该p型层的上方形成的有源层、以及在该有源层的上方形成的n型层；以及电流限制部，其在该台面部的左右具有p型电流阻挡层和n型电流阻挡层，该n型层的宽度比该有源层小。

发明的效果

根据本发明，通过使p型杂质进行气相扩散或者固相扩散而消除n连接，从而能够无不良影响地抑制n连接。

附图说明

图1是实施方式涉及的半导体元件的剖视图。

图2是表示在衬底之上形成有多个层这一情况的图。

图3是表示形成有台面部这一情况的图。

图4是表示形成有电流限制部这一情况的图。

图5是表示消除了n连接这一情况的图。

图6是表示形成有接触层这一情况的图。