[发明专利]具有高静电防护能力的二极管在审
| 申请号： | 201710462132.X | 申请日： | 2017-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148553A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王黎;温作晓 | 申请（专利权）人： | 彩优微电子（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩散区 二极管 静电防护能力 绝缘区 环绕 第一导电类型 电流耐受能力 导电类型 凹陷部 共形 周长 隔离 | ||
1.一种具有高静电防护能力的二极管，包含：
一第一导电类型的一第一扩散区，具有多个凹陷部；
一绝缘区，环绕该第一扩散区，且与该第一扩散区共形；以及
一第二导电类型的一第二扩散区，环绕该绝缘区，其中该绝缘区用以隔离该第一扩散区与该第二扩散区。
2.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中每一所述凹陷部具有一U字外形。
3.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中每一所述凹陷部具有一圆弧状外形。
4.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中所述凹陷部两两对称于该第一扩散区的相应中心点。
5.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中相对于该第二扩散区的每一侧的该第一扩散区的每该侧具有相同数量的至少一凹陷部。
6.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中相对于该第二扩散区的至少一组相对侧的该第一扩散区的相对该侧具有相同数量的至少一凹陷部。
7.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中该第一导电类型的该第一扩散区为N+型扩散区，该第二导电类型的该第二扩散区为P+型扩散区。
8.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中该第一导电类型的该第一扩散区为P+型扩散区，该第二导电类型的该第二扩散区为N+型扩散区。
9.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中形成该绝缘区的方法为局部氧化法或浅沟槽隔离。
10.如权利要求1所述的具有高静电防护能力的二极管，其中该第一扩散区具有一平滑外形。
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