[发明专利]具有高静电防护能力的二极管

说明书

本公开提供一种具有高静电防护能力的二极管，包含第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区与绝缘区。第一扩散区具有多个凹陷部。绝缘区环绕第一扩散区且与第一扩散区共形。第二扩散区环绕绝缘区。绝缘区用以隔离第一扩散区与第二扩散区。本公开提出一种具有高静电防护能力的二极管，通过改变二极管的内扩散区的外形来增加P/N界面的周长从而提高二极管自身的电流耐受能力，不须增加二极管的面积即能使二极管具有高静电防护能力。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有高静电防护能力的二极管。

背景技术

静电对于电子产品的伤害一直是不易解决的问题，尤其是在高频电路的应用中。为了不影响产品的正常工作性能，电路的输入输出接口通常需要静电保护元件以具有较强的电流泄放能力。现今较为常见的高频电路，其输入输出接口的静电保护元件多为二极管。当有静电放电发生时，N型二极管用于泄放从接地端到输入输出接口的正向电流，P型二极管用于泄放输入输出接口到电源端的正向电流。为了提高二极管自身的电流耐受能力从而提高静电防护能力，通常需要增大二极管的面积，然而这种作法对于产品的微小化是不利的。

发明内容

本公开的目的在于提出一种具有高静电防护能力的二极管，通过改变二极管的内扩散区的外形来增加P/N界面的周长从而提高二极管自身的电流耐受能力，不须增加二极管的面积即能使二极管具有高静电防护能力。

根据本公开的上述目的，提出一种具有高静电防护能力的二极管，包含第一导电类型的第一扩散区、第二导电类型的第二扩散区与绝缘区。第一扩散区具有多个凹陷部。绝缘区环绕第一扩散区且与第一扩散区共形。第二扩散区环绕绝缘区。绝缘区用以隔离第一扩散区与第二扩散区。

在一些实施例中，上述凹陷部的每一者具有U字外形。

在一些实施例中，上述凹陷部的每一者具有圆弧状外形。

在一些实施例中，上述凹陷部两两对称于第一扩散区的相应中心点。

在一些实施例中，上述相对于第二扩散区的每一侧的第一扩散区的每该侧具有相同数量的至少一凹陷部。

在一些实施例中，上述相对于第二扩散区的至少一组相对侧的第一扩散区的相对该侧具有相同数量的至少一凹陷部。

在一些实施例中，上述第一导电类型的第一扩散区为N+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为P+型扩散区。

在一些实施例中，上述第一导电类型的第一扩散区为P+型扩散区，第二导电类型的第二扩散区为N+型扩散区。

在一些实施例中，形成绝缘区的方法为局部氧化法(Local Oxidation ofSilicon，LOCOS)或浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)。

在一些实施例中，上述第一扩散区具有平滑外形。

为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。

附图说明

从以下结合说明书附图所做的详细描述，可对本公开的实施方式有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例示出。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1是示出其中一种现有二极管的结构示意图。

图2是示出根据本公开的第一实施例的二极管的结构示意图。

图3是示出根据本公开的第二实施例的二极管的结构示意图。

图4是示出根据本公开的第三实施例的二极管的结构示意图。

图5是示出根据本公开的第四实施例的二极管的结构示意图。