[发明专利]一种具有优异光敏性能In2S3薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：基片预处理：将基片清洗干净后吹干，并置于磁控溅射腔室内，备用；

S2：预溅射：在磁控溅射仪靶枪上安装In₂S₃靶材，铟硫原子比为2：3，对磁控溅射腔室抽真空后再通入氩气，衬底温度为室温，挡板遮住衬底，设置溅射气压为2～3Pa，开启电源起辉，待辉光稳定后，开始预溅射以除去In2S3靶材表面的污染物；

S3：溅射沉积In₂S₃薄膜：经步骤S2处理后，移开挡板，设置溅射功率为4～5W/㎝²，溅射气压为0.8～1.2Pa，在基片进行溅射沉积，溅射时间为60～300s，获得In₂S₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，清洗采用的具体方法为：将基片依次放入重铬酸钾溶液、丙酮、去离子水、酒精中，分别超声清洗10～20min。

3.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，预溅射条件为：溅射功率为4～5W/㎝²，溅射气压为0.8～1.2Pa，预溅射时间为120～300s。

4.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，In₂S₃靶材的纯度为99.99％。

5.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，对磁控溅射腔室抽真空至小于1×10^-3Pa。

6.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，氩气的纯度为99.999％。

7.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，磁控溅射仪靶枪至基片的距离为8～12㎝。

8.根据权利要求1所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述基片采用绝缘表面，且表面平整。

9.根据权利要求8所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述基片为玻璃或石英基底。

10.根据权利要求1-9任一所述的具有优异光敏性能In₂S₃薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，In₂S₃薄膜沉积的厚度为10～100nm。