[发明专利]一种沟槽结势垒肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种沟槽结势垒肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供用于制作器件的衬底，并且在所述衬底正面生长外延层；

步骤二、在所述外延层上制作结势垒区、场限环区和主结区，所述主结区通过第一离子注入形成；

步骤三、在除所述场限环区以外的所述外延层上刻蚀结势垒凹槽和主结凹槽，其中在结势垒区刻蚀结势垒凹槽，在所述主结区刻蚀主结凹槽，并对所述结势垒凹槽和所述主结凹槽进行第二离子注入；

步骤四、在所述衬底背面制作欧姆接触；

步骤五、在所述器件正面制作钝化层和肖特基接触；

步骤六、在所述器件正面制作金属电极并进行钝化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件的衬底为N⁺-SiC衬底，所述外延层为N^--SiC外延层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二和所述步骤三可以交换。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中的第一离子注入和所述步骤三中的第二离子注入均为Al离子注入。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入和所述第二离子注入的能量和剂量可以相同或不同。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入和所述第二离子注入还包括离子的激活退火步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤四中的欧姆接触金属为Ni或Ti。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤五中的钝化层材料为SiO₂，且所述钝化层覆盖所述场限环区，或者覆盖部分主结凹槽的表面。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤五中在制作所述肖特基接触之前还可以包括在所述结势垒凹槽和主结凹槽的侧壁及底部生长薄氧化物层的步骤。

10.一种根据权利要求1所述的方法制作的二极管，包括从所述二极管的中心到外围依次分布的结势垒区、主结区和场限环区，其特征在于：

所述主结区内刻蚀有主结凹槽，所述主结凹槽以下和主结凹槽之间均经过离子注入形成结势垒，所述主结凹槽内填充肖特基金属。