[发明专利]接触开口及其形成方法

权利要求书

1.一种形成接触开口的方法，包括：

对第一层的部分实施第一注入以形成第一注入区域；

去除所述第一层的未注入部分，其中，在所述去除之后，所述第一注入区域保留；

在所述第一注入区域上方形成图案化的光刻胶，对所述第一层下面的第二层实施第一蚀刻，其中，所述第一注入区域用作所述第一蚀刻中的第一蚀刻掩模的部分，当在所述第一蚀刻中蚀刻所述第二层时，所述图案化的光刻胶和所述第一注入区域的组合用作所述第一蚀刻掩模；

去除所述第一注入区域；

使用所述第二层蚀刻金属掩模以形成图案化的金属掩模；以及

蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，所述图案化的金属掩模用作第二蚀刻掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一层是非晶硅层，并且所述第一注入包括将硼注入至所述非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层包括氧化硅，并且使用含氯工艺气体对所述第二层实施所述第一蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：对所述第一层的额外的部分实施第二注入以形成第二注入区域，其中，在去除所述第一层的所述未注入部分之后，所述第二注入区域保留，并且在所述第二层的所述第一蚀刻中，所述第二注入区域用作所述第一蚀刻掩模的额外的部分。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述接触开口的底部处形成硅化物区域；以及

用金属材料填充所述接触开口以形成接触插塞。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，当开始蚀刻所述层间电介质时，在所述金属掩模上方存在所述第二层，并且在所述层间电介质的所述蚀刻期间，去除所述第二层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一注入区域包括：

第一部分，与第一栅极堆叠件的部分重叠；

第二部分，与第二栅极堆叠件的部分重叠；以及

第三部分，将所述第一注入区域的所述第一部分连接至所述第一注入区域的所述第二部分。

8.一种形成接触开口的方法，包括：

在金属掩模上方沉积氧化物层；

在所述氧化物层上方沉积非晶硅层；

将硼注入至所述非晶硅层以形成硼掺杂区域；

去除所述非晶硅层的未注入部分；

在所述硼掺杂区域上方形成图案化的光刻胶，其中，所述图案化的光刻胶包括开口，其中，所述硼掺杂区域的部分暴露于所述开口，并且所述氧化物层的部分暴露于所述开口；

蚀刻所述氧化物层的暴露的部分，所述硼掺杂区域的所述部分保护所述氧化物层的部分；

去除所述图案化的光刻胶；

去除所述硼掺杂区域；

使用所述氧化物层作为第一蚀刻掩模蚀刻所述金属掩模；以及

蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，所述金属掩模用作第二蚀刻掩模。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：将硼注入至所述非晶硅层以形成额外的硼掺杂区域，其中，使用不同的光刻胶作为注入掩模注入所述额外的硼掺杂区域和所述硼掺杂区域。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，当开始蚀刻所述层间电介质时，已经去除所述硼掺杂区域。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述非晶硅层的所述未注入部分包括使用氢氧化铵作为蚀刻剂的蚀刻步骤。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，使用含氯工艺气体实施所述氧化物层的所述暴露的部分的所述蚀刻。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，在蚀刻所述氧化物层的所述暴露的部分之后，所述氧化物层包括第一沟槽和第二沟槽，并且在所述氧化物层的顶视图中，所述第一沟槽的边缘和所述第二沟槽的边缘分别与所述硼掺杂区域的所述部分的相对边缘对准。