[发明专利]接触开口及其形成方法

说明书

方法包括对第一层的部分实施注入以形成注入区域，并且去除第一层的未注入部分。在去除第一层的未注入部分之后，注入区域保留。之后，对第一层下面的第二层实施蚀刻，其中，注入区域用作蚀刻中的第一蚀刻掩模的部分。去除注入区域。使用第二层蚀刻金属掩模以形成图案化的掩模。之后，蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，图案化的掩模用作第二蚀刻掩模。本发明的实施例还涉及接触开口及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及接触开口及其形成方法。

背景技术

在集成电路的制造中，接触插塞用于连接至晶体管的源极和漏极区域以及栅极。源极/漏极接触插塞通常连接至源极/漏极硅化物区域，源极/漏极硅化物区域的形成工艺包括在层间电介质中形成接触开口，沉积延伸至接触开口内的金属层，并且之后实施退火以使金属层与源极/漏极区域的硅/锗反应。之后，在接触开口中形成源极/漏极接触插塞。

在用于形成接触开口的传统工艺中，接触开口的位置由氮化钛掩模限定，并且在氮化钛掩模上方形成光刻胶。光刻胶和氮化钛掩模的组合用作蚀刻掩模以蚀刻层间电介质并且形成接触开口。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成接触开口的方法，包括：对第一层的部分实施第一注入以形成第一注入区域；去除所述第一层的未注入部分，其中，在所述去除之后，所述第一注入区域保留；对所述第一层下面的第二层实施第一蚀刻，其中，所述第一注入区域用作所述第一蚀刻中的第一蚀刻掩模的部分；去除所述第一注入区域；使用所述第二层蚀刻金属掩模以形成图案化的金属掩模；以及蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，所述图案化的金属掩模用作第二蚀刻掩模。

本发明的另一实施例提供了一种形成接触开口的方法，包括：在金属掩模上方沉积氧化物层；在所述氧化物层上方沉积非晶硅层；将硼注入至所述非晶硅层以形成硼掺杂区域；去除所述非晶硅层的未注入部分；在所述硼掺杂区域上方形成图案化的光刻胶，其中，所述图案化的光刻胶包括开口，其中，所述硼掺杂区域的部分暴露于所述开口，并且所述氧化物层的部分暴露于所述开口；蚀刻所述氧化物层的暴露的部分，所述硼掺杂区域的所述部分保护所述氧化物层的部分；去除所述图案化的光刻胶；去除所述硼掺杂区域；使用所述氧化物层作为第一蚀刻掩模蚀刻所述金属掩模；以及蚀刻层间电介质以形成接触开口，其中，所述金属掩模用作第二蚀刻掩模。

本发明的又一实施例提供了一种形成接触开口的方法，包括：在金属掩模上方形成氧化物层；在所述氧化物层上方形成非晶硅层；将硼注入至所述非晶硅层以形成硼掺杂区域；在所述硼掺杂区域上方形成图案化的光刻胶；使用所述硼掺杂区域和所述图案化的光刻胶的组合作为蚀刻掩模蚀刻所述氧化物层；以及将蚀刻的氧化物层中的图案转移至所述金属掩模。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图14是根据一些实施例的晶体管和对应的接触插塞的形成中的中间阶段的顶视图和截面图。

图15示出了根据一些实施例的用于形成接触插塞的工艺流程。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。