[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一鳍状结构位于一基板上，该鳍状结构包含一源极/漏极区，且该源极/漏极区包含：

一第一外延区，具有一第一掺质浓度；

一第二外延区，具有该第一掺质浓度；

一合并外延区，位于该第一外延区与该第二外延区上，且具有一第二掺质浓度，且该第一掺质浓度不同于该第二掺质浓度；

一缓冲外延区，位于该合并外延区上，且具有一第三掺质浓度，且该第三掺质浓度不同于该第一掺质浓度与该第二掺质浓度；以及

一外延盖区，位于该合并外延区与该缓冲外延区上，且具有一第四掺质浓度，且该第四掺质浓度不同于该第一掺质浓度、该第二掺质浓度、与该第三掺质浓度，其中该外延盖区位于该合并外延区的(111)晶面上；

一介电区，位于该基板上且位于该第一外延区与该第二外延区之间；以及

一置换栅极结构，位于该鳍状结构上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该缓冲外延区存在于该合并外延区的(100)晶面上且不存在于该合并外延区的(111)晶面上。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中

该第一外延区与该第二外延区包含一第一锗原子浓度；

该合并外延区包含一第二锗原子浓度，且该第二锗原子浓度大于该第一锗原子浓度；以及

该缓冲外延区包含一第三锗原子浓度，且该第三锗原子浓度小于该第一锗原子浓度与该第二锗原子浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，更包含：

第一对的未合并外延区于该基板上，其具有该第一掺质浓度；以及

第二对的未合并外延区于该第一对的未合并外延区上，其具有该第二掺质浓度。

5.一种半导体装置的形成方法，其中该半导体装置具有一第一鳍状结构与一第二鳍状结构于一基板上，包括：

形成该第一鳍状结构的一第一外延区；

形成第二鳍状结构的一第二外延区；

选择性地外延成长一缓冲区于该第一鳍状结构的该第一外延区上，并露出该第二外延区的一部分；

回蚀刻该第二外延区的该部分，其中该缓冲区避免回蚀刻步骤蚀刻该第一外延区的上表面；以及

形成一盖区于该缓冲区与蚀刻后的该第二外延区上。

6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中形成该缓冲区于该第一外延区上的步骤包括：

同时外延成长该缓冲区的材料于该第一外延区的一第一面与一第二面上，该第一面不同于该第二面，该缓冲区以一第一成长速率成长于该第一面上，且该缓冲区以一第二成长速率成长于该第二面上；以及

提供外延成长材料于该第一面与该第二面上的多种制程条件，使该第一成长速率大于该第二成长速率。

7.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中形成该缓冲区于该第一外延区上的步骤包括外延成长缓冲区的材料以接触该第一外延区。

8.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，其中形成该缓冲区于该第一外延区上的步骤包括：

同时外延成长该缓冲区的材料于该第一外延区的一第一面与一第二面上，该第一面不同于该第二面，该缓冲区以一第一成长速率成长于该第一面上，且该缓冲区以一第二成长速率成长于该第二面上；

同时蚀刻该第一外延区的该第一面与该第二面上的该缓冲区的外延成长的材料，以第一蚀刻速率蚀刻该第一面上的该缓冲区，并以一第二蚀刻速率蚀刻该第二面上的该缓冲区；以及

提供外延成长与蚀刻该第一面与该第二面上的材料的多种制程条件，使该第一成长速率大于该第二成长速率，且该第一蚀刻速率小于该第二蚀刻速率。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中提供外延成长与蚀刻该第一面与该第二面上的材料的该些制程条件包括：

提供一蚀刻气体；以及

提供该缓冲区的材料的一前驱物，其中该蚀刻气体的流速与该前驱物的流速之间的比例介于0.5至1之间。