[发明专利]半导体装置

说明书

具有第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上的半导体装置其形成方法包括：形成第一外延区于第一鳍状结构上；以及形成第二外延区于第二鳍状结构上。方法亦包括形成缓冲区于第一鳍状结构的第一外延区上；以及回蚀刻部份的第二外延区。缓冲区有助于避免回蚀刻步骤蚀刻第一外延区的上表面。此外，盖区形成于缓冲区与蚀刻后的第二外延区上。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置与其制作方法。

背景技术

随着半导体技术进步，对较高储存能力、较快处理系统、较高效能、与较低成本的需求也提高。为达上述需求，半导体产业持续缩小半导体装置(如金氧半场效晶体管，包括平面的金氧半场效晶体管与鳍状场效晶体管)的尺寸。

上述尺寸缩小亦增加半导体制程的复杂性。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置，包括：鳍状结构位于基板上，鳍状结构包含源极/漏极区，且源极/漏极区包含：第一外延区，具有第一掺质浓度；第二外延区，具有第一掺质浓度；合并外延区，位于第一外延区与第二外延区上，且具有第二掺质浓度，且第一掺质浓度不同于第二掺质浓度；外延缓冲区，位于合并外延区上，且具有第三掺质浓度，且第三掺质浓度不同于第一掺质浓度与第二掺质浓度；以及外延盖区，位于合并外延区与缓冲外延区上，且具有第四掺质浓度，且第四掺质浓度不同于第一掺质浓度、第二掺质浓度、与第三掺质浓度；介电区，位于基板上且位于第一外延区与第二外延区之间；以及置换栅极结构，位于鳍状结构上。

附图说明

图1是例示性的鳍状场效晶体管的等角视图。

图2是图1的例示性的鳍状场效晶体管沿着线段A-A的剖视图。

图3是例示性的鳍状场效晶体管的等角视图。

图4至8是鳍状场效晶体管于例示性的制程的多种阶段中的等角视图。

图9A至12A与9B至12B是鳍状场效晶体管于例示性的制程的多种阶段的剖视图。

图13是制作鳍状场效晶体管的例示性的方法其流程图。

【符号说明】

A-A、B-B、C-C 线段

D 深度

S、960、962、964 空间

W 宽度

100、300 鳍状场效晶体管

102 基板

104A、104B、304 鳍状结构

106 浅沟槽隔离区

106t、313s、313s*、546At、546Bt、750s 上表面

108 栅极结构

110A、110B、310 外延区

112A、112B、113A、113A*、113B、113B*、114A、114B、311、312、313、313*、314、315、912A、912B、913A*、913B* 子区

116 介电层

116t、120t、122t、314t、315t、315t* 厚度

118 栅极

120 间隔物

120* 未图案化的间隔物

120a、120b、120c 间隔物部份

121A、123、221A、313i、321A、321B、852A、852B、913i 界面