[发明专利]一种集成电路及印刷电路板在审
申请号: | 201710466961.5 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN107424991A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 南京中感微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙)11397 | 代理人: | 艾凤英,张艳 |
地址: | 210061 江苏省南京市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 印刷 电路板 | ||
1.一种集成电路,其特征在于,包括:集成电路模块和集成式去耦电容,所述集成式去耦电容包括一个或多个分布式电容,所述分布式电容连接于所述集成电路模块的电源线和地线之间。
2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述集成电路模块由多层金属形成器件之间的互连,所述集成式去耦电容置于互连金属左右之间的空闲区域,或者,置于互连金属上下之间的空闲区域。
3.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述集成式去耦电容包括多个金属层、以及位于相邻两个金属层之间的中间层,所述中间层包括介电层和填充金属层,所述中间层的厚度大于所述相邻两个金属层中任一金属层的厚度。
4.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述介电层靠近所述相邻两个金属层中的第一金属层,所述介电层与所述相邻两个金属层中的第二金属层之间的填充金属层填充有所述第二金属层。
5.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述介电层靠近所述相邻两个金属层中的第二金属层,所述介电层与所述相邻两个金属层中的第一金属层之间的填充金属层填充有所述第一金属层。
6.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述介电层位于所述中间层的中间位置,所述介电层与所述相邻两个金属层中的第二金属层之间的填充金属层填充有所述第二金属层,所述介电层与所述相邻两个金属层中的第一金属层之间的填充金属层填充有所述第一金属层。
7.如权利要求3-6任一所述的集成电路,其特征在于,所述中间层向外延伸至所述集成电路模块的金属连线之间的位置。
8.如权利要求3-7任一所述的集成电路,其特征在于,所述填充金属层和与其接触的金属层一并形成。
9.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述介电层的厚度是所述相邻两个金属层中任一金属层的0.5-2倍,所述填充金属层的厚度是所述相邻两个金属层中任一金属层厚度的2倍以上。
10.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述相邻两个金属层之间的间隔是所述介电层厚度的3倍以上。
11.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述集成式去耦电容的电容其中,A为电容面积,d为电容的两个极板间距,ε0为真空的介电常数,εr为电介质的相对介电常数。
12.如权利要求11所述的集成电路,其特征在于,所述电解质的相对介电常数为1000~50000之间。
13.一种印刷电路板,其特征在于,包括如权利要求1-12任一所述的集成电路、以及电源端和地线端,所述电源端连接所述电源线、所述地线端连接所述地线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的