[发明专利]一种集成电路及印刷电路板在审
申请号: | 201710466961.5 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN107424991A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 南京中感微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京新知远方知识产权代理事务所(普通合伙)11397 | 代理人: | 艾凤英,张艳 |
地址: | 210061 江苏省南京市高*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 印刷 电路板 | ||
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种集成电路及印刷电路板。
背景技术
现有技术中,无论是模拟集成电路还是数字集成电路,一般都需要在印刷电路板上,为芯片在输入电源管脚处安装输入去耦电容。
图1示出了现有技术中集成电路连接输入去耦电容的结构示意图,L2为分离元件电容C1的寄生电感,L1为电容C1至实际集成电路的寄生电感(包括印刷电路板上走线的寄生电感,集成电路封装引线的寄生电感,以及集成电路内部金属走线的寄生电感),同理,L3为连接在地线上的寄生电感。
如图1所示,一般此电容连接于输入电源管脚和地管脚之间,其电容值一般为0.1微法至10微法之间。其原因在于集成电路中存在电流波动,且实际供电电源可能距离被供电的集成电路较远,之间通过较长的连线连接,此电源线和地线都存在较大的寄生电感,如果集成电路中电流波动就会引起其内部实际的电源电压波动,如果电压波动较大,会引起集成电路功能失效。
但现有技术的缺点在于,这些输入去耦电容(decoupling capacitor)会占用较大的印刷电路板面积,不利于电路和系统的小型化,例如更小的蓝牙耳机更受用户青睐。另外这些去耦电容也需要额外的采购成本,其焊接也需要额外的焊接成本。
发明内容
本申请实施例提出了一种集成电路及印刷电路板,以解决现有技术中输入去耦电容占用较大的印刷电路板面积,不利于电路和系统的小型化、成本较高等技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种集成电路,包括:集成电路模块和集成式去耦电容,所述集成式去耦电容包括一个或多个分布式电容,所述分布式电容连接于所述集成电路模块的电源线和地线之间。
第二个方面,本申请实施例提供了一种印刷电路板,包括上述集成电路、以及电源端和地线端,所述电源端连接所述电源线、所述地线端连接所述地线。
有益效果如下:
本申请实施例所提供的技术方案,集成了输入去耦电容,有利于电路和系统的小型化,减少了物料成本,减小了焊接成本以及焊接时间(相应的缩短了生产时间),此外,还有利于减小等效寄生电感的影响。
附图说明
下面将参照附图描述本申请的具体实施例,其中:
图1示出了现有技术中集成电路连接输入去耦电容的结构示意图;
图2示出了本申请实施例中集成电路的结构示意图;
图3示出了本申请实施例中集成式去耦电容的一种结构示意图;
图4示出了本申请实施例中集成式去耦电容的另一结构示意图;
图5示出了本申请实施例中集成式去耦电容的另一结构示意图;
图6示出了本申请实施例中集成式去耦电容的另一结构示意图;
图7示出了本申请实施例中集成电路内金属层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图对本申请的示例性实施例进行进一步详细的说明,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是所有实施例的穷举。并且在不冲突的情况下,本说明中的实施例及实施例中的特征可以互相结合。
针对现有技术的不足,本申请实施例提出了一种集成电路和印刷电路板,下面进行说明。
图2示出了本申请实施例中集成电路的结构示意图,如图所示,所述集成电路可以包括:集成电路模块和集成式去耦电容,所述集成式去耦电容包括一个或多个分布式电容,所述分布式电容连接于所述集成电路模块的电源线和地线之间。
图2中以5个分布式电容(C1~C5)为例进行了示意,具体实施时,本领域技术人员可以根据实际需要设置电容数量,本申请对此不作限制。
本申请实施例所提供的集成电路,集成了输入去耦电容,有利于电路和系统的小型化,减少了物料成本,减小了焊接成本以及焊接时间(相应的缩短了生产时间),此外,还有利于减小等效寄生电感的影响。
实施中,所述集成电路模块可以由多层金属形成器件之间的互连,所述集成式去耦电容可以置于互连金属左右之间的空闲区域,或者,置于互连金属上下之间的空闲区域。
实施中,所述集成式去耦电容可以包括多个金属层、以及位于相邻两个金属层之间的中间层,所述中间层包括介电层和填充金属层,所述中间层的厚度大于所述相邻两个金属层中任一金属层的厚度。
本申请实施例下面以两个金属层为例进行说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中感微电子有限公司,未经南京中感微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710466961.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:杂散电感低的功率模块
- 下一篇:用于双向切换装置的快速断开的电路布置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的