[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板表面上设置第一金属层，以形成栅电极层图案；

在所述第一金属层上设置绝缘层；

在所述绝缘层上设置有源层，以形成有源层图案；

在所述有源层上设置第二金属层，以形成源漏极层图案；

铺设整层ITO层，所述ITO层与所述第二金属层的漏极电性连接；

在所述ITO层上设置钝化层，以形成钝化层图案；

通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔；

进行像素电极层的沉积形成像素电极图案，以使得所述像素电极图案通过所述通孔与所述ITO层电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述进行像素电极层的沉积形成像素电极图案的步骤，包括：

溅射沉积所述像素电极层后，并接着利用黄光及蚀刻工艺形成所述像素电极图案，以使得相邻的像素电极图案间隔设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过蚀刻在所述漏极对应位置处形成通孔的步骤，包括：

蚀刻所述漏极对应位置处的所述钝化层，以形成所述通孔。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极层的像素电极图案共同形成鱼骨形状的四畴结构。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述ITO层的ITO电极为整面且连续不断的面状结构。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

一基板；

一第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极；

一绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属层上；

一有源层，所述有源层设置于所述绝缘层上；

一第二金属层，所述第二金属层设置于所述有源层上；所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极；

一ITO层，所述ITO层整面铺设在所述第二金属层上；

一钝化层，所述钝化层设置于所述ITO层上，用于隔离所述ITO层和像素电极层；

一所述像素电极层，所述像素电极层设置于所述钝化层上；所述像素电极层包括像素电极；

其中，所述ITO层与所述像素电极层电性连接，所述ITO层与所述第二金属层电性连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极对应位置处的所述钝化层设置有贯穿的通孔，以使得所述像素电极通过所述通孔与所述ITO层电性连接。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层的相邻的像素电极间隔设置；所述像素电极层的像素电极共同形成鱼骨形状的四畴结构。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述ITO层的ITO电极为整面且连续不断的面状结构。

10.一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板、以及设置于所述阵列基板与彩膜基板之间的液晶盒；其特征在于，

所述阵列基板包括：

一基板；

一第一金属层，所述第一金属层设置于所述基板表面上；所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极；

一绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属层上；

一有源层，所述有源层设置于所述绝缘层上；

一第二金属层，所述第二金属层设置于所述有源层上；所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极；

一ITO层，所述ITO层整面铺设在所述第二金属层上；

一钝化层，所述钝化层设置于所述ITO层上，用于隔离所述ITO层和像素电极层；

一所述像素电极层，所述像素电极层设置于所述钝化层上；所述像素电极层包括像素电极；

其中，所述ITO层与所述像素电极层电性连接，所述ITO层与所述第二金属层电性连接。