[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基材；

多个端子，所述多个端子位于所述基材周围；

半导体芯片，所述半导体芯片经由粘合剂层安装在所述基材上方，并且具有多个第一焊盘电极；

多个接合引线，所述多个接合引线连接所述多个第一焊盘电极与所述多个端子；以及

密封体，所述密封体密封所述基材、所述多个端子、所述半导体芯片、以及所述多个接合引线，

其中，所述半导体芯片具有第一主表面、与所述第一主表面相对的后表面、以及位于所述第一主表面与所述后表面之间的侧表面，

其中，所述第一主表面由包括第一侧的形状构成，

其中，所述第一主表面具有电路形成区以及环绕所述电路形成区的划片区，

其中，所述多个第一焊盘电极沿所述第一侧布置，并且布置在所述电路形成区的周边部分中，

其中，所述半导体芯片具有第一保护膜和第二保护膜，所述第一保护膜由无机绝缘膜构成，露出所述多个第一焊盘电极并且覆盖所述划片区的一部分和所述电路形成区，所述第二保护膜由有机绝缘膜构成，形成在所述第一保护膜上方，露出所述多个第一焊盘电极和所述划片区，并且覆盖所述电路形成区，

其中，所述密封体与所述电路形成区中的所述第二保护膜相接触，并且与所述划片区的所述一部分中的以及所述多个第一焊盘电极与所述划片区之间的区域中的所述第一保护膜相接触而不与所述第二保护膜接触，

其中，所述半导体芯片的所述侧表面具有位于所述划片区中并且到达所述第一主表面的第一侧表面，以及位于所述划片区中并且到达所述后表面的第二侧表面，所述第一侧表面位于比所述第二侧表面更接近所述电路形成区，并且所述第二侧表面比所述第一侧表面长，并且

其中，所述粘合剂层覆盖所述半导体芯片的整个所述后表面和所述半导体芯片的所述第二侧表面这两者，并且所述第一侧表面与所述密封体接触而不被所述粘合剂层覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述半导体芯片具有半导体基板，所述半导体基板具有第二主表面以及在所述第二主表面中形成并且被元件隔离膜环绕的有源区，并且

其中，所述半导体芯片的所述电路形成区形成在所述有源区中，并且具有包括栅电极、源极区和漏极区的MISFET。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中，与所述元件隔离膜相比，以所述第一主表面作为参考，所述第一侧表面到达所述半导体芯片的后表面侧。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括保护环，所述保护环在平面图中位于所述电路形成区与所述划片区之间，并且连续环绕所述电路形成区。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，进一步包括在所述多个第一焊盘电极下方形成的层间绝缘膜，

其中，所述层间绝缘膜与所述多个第一焊盘电极相接触，并且

其中，所述保护环包括形成为与所述层间绝缘膜的上部相接触的布线层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述保护环包括埋在所述层间绝缘膜中并且与所述布线层连接的插塞电极。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述多个第一焊盘电极每个都具有与所述接合引线连接的第一接合区以及与所述第一接合区邻近的第一探针区，并且

其中，在与所述第一侧相正交的方向上，所述第一接合区被布置在比所述第一探针区更接近所述第一侧的一侧。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中，所述多个第一焊盘电极每个都在与所述第一侧相正交的方向上具有第一宽度，并且与沿所述第一侧延伸的所述保护环分开第一距离，并且

其中，所述第一距离小于所述第一宽度。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，进一步包括沿所述第一侧布置的第二焊盘电极；

其中，所述第二焊盘电极具有与所述接合引线连接的第二接合区以及与所述第二接合区邻近的第二探针区，并且

其中，在与所述第一侧相正交的方向上，所述第二探针区被布置在比所述第二接合区更接近所述第一侧的一侧。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中，所述第一探针区和所述第二探针区直线地布置在与所述第一侧相平行的方向上。