[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710468988.8 申请日: 2017-06-20
公开(公告)号: CN107665872A 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 黑田壮司;小林达也;青木隆德 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李兰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

交叉引用说明

于2016年7月29日提交的包括说明书、附图、以及摘要的日本专利申请No.2016-149631的公开内容通过引用的方式整体并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,特别地,涉及一种当应用于通过将半导体芯片安装在基板上然后用树脂密封而获得的半导体装置时有效的技术,以及制造该装置的方法。

背景技术

日本未审查专利申请公开No.2010-21251(专利文献1)公开了一种防止管芯接合材料到达半导体芯片的电路形成表面的技术。

日本未审查专利申请公开No.20010-171156(专利文献2)公开了一种阶梯切割划片处理,其中,用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后,用比沟槽的宽度更薄的刀片对半导体晶片进行划分。

发明内容

一种BGA(球栅阵列)型半导体装置,具有例如:布线板;半导体芯片,该半导体芯片经由粘合剂层安装在布线板上;多个接合引线,其连接在形成于布线板的上表面上的多个端子与半导体芯片的焊盘电极之间;以及密封体,该密封体通过用树脂覆盖布线板、半导体芯片、以及多个接合引线而获得,基于对上述BGA(球栅阵列)型半导体装置的调查研究,本发明人发现了以下问题。

发现上述半导体装置导致下述现象:在用例如在范围内(从-65℃至15℃)升温和降温的2000次循环来执行以便确保装置可靠性的温度循环测试中,在接合引线与焊盘电极之间的连接部分发生了裂纹。裂纹导致多个接合引线与焊盘电极分离,即开路故障,并且由此得到的半导体装置的可靠性降低。

因此,需要提供具有改进的可靠性的半导体装置。

从这里的描述和附图将显而易见地得知另一问题和新颖特征。

在一个实施例中,提供了一种半导体装置,该半导体装置具有:布线板;多个端子,这多个端子位于布线板周围;半导体芯片,该半导体芯片通过粘合剂层而被安装在布线板上并且具有多个焊盘电极;多个接合引线,这多个接合引线连接在焊盘电极与多个端子之间;以及密封体,用于密封布线板、多个端子、半导体芯片、以及多个接合引线。半导体芯片具有:第一主表面、与第一主表面相对的后表面、以及用于使第一主表面与后表面相连的侧表面。第一主表面具有包括第一侧的矩形形状并且具有电路形成区以及环绕电路形成区的划片区。多个焊盘电极沿着第一侧排列在电路形成区的周边部分中。半导体芯片进一步具有第一保护膜和第二保护膜,第一保护膜是由露出焊盘电极并覆盖电路形成区和划片区的无机绝缘膜构成的,并且第二保护膜形成于第一保护膜之上并且是由露出焊盘电极和划片区并覆盖电路形成区的无机绝缘膜构成的。密封体与电路形成区中的第二保护膜相接触,而与划片区中以及焊盘电极与划片区之间的区域中的第二保护膜不接触,但是与第一保护膜相接触。半导体芯片具有作为侧表面的位于划片区之中并与第一主表面相连的第一侧表面以及与后表面相连的第二侧表面。第一侧表面位于比第二侧表面更接近电路形成区的一侧并且第二侧表面比第一侧表面长。粘合剂层覆盖半导体芯片的整个后表面并且同时覆盖半导体芯片的第二侧表面。第一侧表面与密封体相接触而不被粘合剂层覆盖。

根据一个实施例,可提供具有改进可靠性的半导体装置。

附图说明

图1是第一实施例的半导体装置的横截面图;

图2是作为第一实施例的半导体装置的一部分的半导体芯片的平面图;

图3是图1的部分A的放大的横截面图;

图4是示出第一实施例的半导体装置的制造步骤的处理流程图;

图5是在其制造步骤期间第一实施例的半导体装置的平面图;

图6是沿图5的线Y-Y截取的横截面图;

图7是在图5的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的横截面图;

图8是在图7的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的横截面图;

图9是在图8的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的平面图;

图10是在图9的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的平面图;

图11是在图10的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的平面图;

图12是在图11的制造步骤之后的制造步骤期间的半导体装置的横截面图;

图13是示出与图9相对应的变形示例的平面图;

图14是作为调查示例的半导体装置的横截面图。

具体实施方式

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