[发明专利]阵列基板修补方法、阵列基板及液晶显示器在审
| 申请号： | 201710471354.8 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107132712A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王笑笑;徐向阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 修补 方法 液晶显示器 | ||
1.一种阵列基板修补方法，其特征在于，所述方法包括，
断开阵列基板上像素的像素电极与所述阵列基板的TFT开关；
连通所述像素电极与所述阵列基板上公共电极线。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板修补方法，其特征在于，所述像素电极与公共电极线连通位置位于所述像素电极与公共电极线重叠部分。
3.如权利要求1或2所述的一种阵列基板修补方法，其特征在于，在阵列基板的像素内预设横跨TFT开关的漏极的修补线，使用激光沿着修补线照射所述TFT开关的漏极以使所述像素的像素电极与所述TFT断开。
4.如权利要求3所述的一种阵列基板修补方法，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极、次像素电极、主TFT开关及次TFT开关；所述次像素电极与所述次开关的漏极连接，所述TFT开关即为所述主TFT开关。
5.如权利要求4所述的一种阵列基板修补方法，其特征在于，所述主像素电极所在区域形成过孔，所述过孔连接所述主开关的漏极，所述修补线形成于所述过孔与所述主开关之间横跨所述漏极。
6.如权利要求1所述的阵列基板修补方法，其特征在于，所述公共电极线与像素电极位于不同层且电位相同。
7.如权利要求4所述的阵列基板修补方法，其特征在于，所述公共电极形成于所述主像素电极及次像素电极下方。
8.如权利要求1所述的阵列基板修补方法，其特征在于，所述像素电极及公共电极的材料均为ITO。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括玻璃基板，形成于玻璃基板的TFT开关、公共电极线及像素电极层，所述TFT包括源极和漏极，所述漏极与所述像素电极断路，并且像素电极与所述公共电极线连接。
10.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板、彩膜基板及夹持于彩膜基板的显示介质层，还包括为所述液晶显示器提供光源的背光模组。
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