[发明专利]阵列基板修补方法、阵列基板及液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种阵列基板修补方法及阵列基板以及液晶显示器。

背景技术

近年来，以低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)作为阵列基板内薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的半导体层的液晶显示面板在中高端小尺寸产品中获得了越来越多的应用，多个知名品牌的智能手机、平板电脑等产品均使用LTPS液晶显示面板。LTPS液晶显示面板具有高分辨率、反应速度快、高亮度低功耗等优点。

随着技术的不断进步，分辨率的提高对像素开口率提出更高的要求。要做到更大的开口率，要对各层金属的线宽线距进行压缩，让空间给像素开口区。线距压缩，同层相邻但不同电位的金属线短路的风险增加，通常是公共电极与像素电极发生短路，造成对像素亮度的影响，需要对像素做暗点化处理。

发明内容

本发明提供一种修补效率高、时间短的阵列基板修补方法。

本发明所述的阵列基板修补方法包括，

断开阵列基板上像素的像素电极与所述阵列基板的TFT开关；

连通所述像素电极与所述阵列基板上公共电极线。

其中，所述像素电极与公共电极线连通位置位于所述像素电极与公共电极线重叠部分。

其中，在阵列基板的像素内预设横跨TFT开关的漏极的修补线，使用激光沿着修补线照射所述TFT开关的漏极以使所述像素的像素电极与所述TFT断开。

其中，所述像素电极包括主像素电极、次像素电极、主TFT开关及次TFT开关；所述次像素电极与所述次开关的漏极连接，所述TFT开关即为所述主TFT开关。

其中，所述主像素电极所在区域形成过孔，所述过孔连接所述主开关的漏极，所述修补线形成于所述过孔与所述主开关之间横跨所述漏极。

其中，所述公共电极线与像素电极位于不同层且电位相同。

其中，所述公共电极形成于所述主像素电极及次像素电极下方。

其中，所述像素电极及公共电极的材料均为ITO。

本发明所述的阵列基板，包括玻璃基板，形成于玻璃基板的TFT开关、公共电极线及像素电极层，所述TFT包括源极和漏极，所述漏极与所述像素电极断路，并且像素电极与所述公共电极线连接。

本发明所述的液晶显示器，包括阵列基板、彩膜基板及夹持于彩膜基板的显示介质层，还包括为所述液晶显示器提供光源的背光模组。

本发明所述的阵列基板修补方法只需要当检测到公共电极与像素电极线短接时，使用激光沿着修补线照射所述TFT开关的漏极以使所述像素的像素电极与所述TFT断开即可，不仅可以修复阵列基板的像素发生漏光，暗点等异常；而且提高修补站点的效率，低激光机台损耗，对于大批量的不良修补，该修补方式能大大减少修补时间、低修补成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明液晶显示器的侧面结构示意图；

图2为本发明较佳实施方式的阵列基板的像素电极俯视结构示意图，属于透视图，不同的剖面线代表不同的层；

图3为本发明所述阵列基板修补方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本申请所述的图案化构图工艺包括成膜、显影、曝光、蚀刻等构图工艺。

如图1所示，其为本发明一实施例中液晶显示器的侧面结构示意图，显示面板包括依次层叠设置的阵列基板11、显示介质层12以及彩膜基板13。还包括为所述液晶显示器提供光源的背光模组。其中，阵列基板11与彩膜基板13上设置有多个显示元件(图未示)，所示多个显示元件用于产生电场驱动显示介质层12进行图像显示。本实施例中，显示介质层12为液晶分子层，也即是本实施中显示面板10以液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)为例进行说明。