[发明专利]一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方在审
申请号: | 201710473851.1 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN107385444A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 司荣美;潘中海;刘彩风 | 申请(专利权)人: | 天津宝兴威科技股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/30 | 分类号: | C23F1/30 |
代理公司: | 天津市新天方有限责任专利代理事务所12104 | 代理人: | 张强 |
地址: | 301800 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 导电 蚀刻 配方 | ||
1.一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方,其特征在于,按重量由下列组分组成:
2.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方,其特征在于,所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方,其特征在于,所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸的混合物、过氧化物与络合剂的混合物、硫单质、有机多硫化物中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方,其特征在于,所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方,其特征在于,所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵或二苯胺磺酸钠。
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