[发明专利]一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻膏技术领域，尤其涉及一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方。

背景技术

目前，银纳米线因为其独特的光、电物理性能，而被用在各种传感器上，比如被广泛应用于许多测量仪器和湿度控制系统的湿度传感器。且银纳米线具有优异的导电性能、较强的吸附能力、良好的生物相容性等其他材料无法比拟的特殊性质，而被用来制备透明导电薄膜，替代传统的氧化铟锡(ITO)透明电极材料。

传统的黄光蚀刻工艺流程为：前清洗、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、脱光刻胶、后清洗、烘干。但是在蚀刻过程中，用到的蚀刻膏多含有强酸和强碱，产生强烈的刺激性气味，腐蚀性强，污染环境，危害操作人员的健康；而且现有的蚀刻膏蚀刻的速率比较慢，蚀刻处理的效率比较低。

发明内容

本发明正是针对以上技术问题，提供一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方。

本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，按重量由下述组分组成：

所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。

所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸的混合物、过氧化物与络合剂的混合物、硫单质、有机多硫化物中的一种或多种的组合。

所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。

所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵或二苯胺磺酸钠。

本发明的有益效果是：本发明提供的蚀刻膏中不含有强酸和强碱，环境污染小；而且氟化合物的加入能够使蚀刻膏快速渗透到需要蚀刻的材料中，提高了蚀刻速率。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明：

实施例1一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，按重量由下述组分组成：

所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。

所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸的混合物、过氧化物与络合剂的混合物、硫单质、有机多硫化物中的一种或多种的组合。

所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。

所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵或二苯胺磺酸钠。

实施例2一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，按重量由下述组分组成：

所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。

所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸的混合物、过氧化物与络合剂的混合物、硫单质、有机多硫化物中的一种或多种的组合。

所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。

所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵或二苯胺磺酸钠。

本发明提供的蚀刻膏中不含有强酸和强碱，环境污染小；而且氟化合物的加入能够使蚀刻膏快速渗透到需要蚀刻的材料中，提高了蚀刻速率；而且常温下，水在吸水剂内，因此基于纳米银导电膜的蚀刻膏不能与纳米银反应进行蚀刻，而60℃～130℃高温下水从吸附剂内释放出来，实现蚀刻剂的离子化，从而能够迅速进行蚀刻反应，且在不同高温条件下，可实现蚀刻速度可控；并且蚀刻反应后残留的膏体能够通过水洗快速除去。

上面对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。