[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等离子体处理。此时，阳极电极部(3)在径向上被分割成多个径向分割电极(34、33、32)，外周侧的径向分割电极(32)进一步被分割成角部侧的角部分割电极(32b)和边部侧的边部分割电极(32a)。在这些角部分割电极(32b)和边部分割电极(32a)中的至少一者接地端(104)侧设置有阻抗调整部(52、51)。

技术领域

本发明涉及利用等离子化的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的等离子体处理装置。

背景技术

在液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造工序中，存在向作为矩形被处理基板的玻璃基板供给等离子化的处理气体而进行蚀刻处理或成膜处理等的等离子体处理的工序。在这些等离子体处理中，使用了等离子体蚀刻装置或等离子体CVD装置等的各种等离子体处理装置。

另外，在矩形被处理基板的等离子体处理中，要求向包括被处理基板的顶点周边的角(角落)部和这些角部之间的边部的外周侧区域均匀地供给等离子化的处理气体。

其中，在专利文献1中记载了如下的平行平板型的等离子体处理装置：使上部电极与下部电极相对，并且在下部电极上载置被处理基板，通过向这些上部、下部电极的一侧施加高频电力而形成的电容耦合而使处理气体等离子化。

专利文献1所记载的等离子体处理装置通过在作为阳极电极而构成的上部电极的上表面侧的横向上彼此分离的部位设置多个阻抗调整部，来进行阻抗调整，能够抑制伴随阳极电极与处理容器的壁部之间的电容耦合而产生不需要的等离子体。

另外，在专利文献2中记载了如下的技术：在进行等离子体处理的平行平板型的等离子体处理装置中，与RF电源所连接的载置作为被处理体的半导体晶片的载置电极(相当于阴极电极)相对地配置对置电极(相当于阳极电极)，并且在距中心的距离不同的每个区域分割该对置电极，为了在这些区域间使阻抗不同，在各区域设置有阻抗可变部。

然而，这些专利文献1、2均没有公开，在对矩形被处理基板进行等离子体处理时，向上述角部和边部均匀地供给等离子化的处理气体的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4553247号公报：权利要求1、2；段落0034、0041；图8

专利文献2：日本特开平6－61185号公报：权利要求1、2；段落0030～0031；图1、2

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于上述事情而完成的发明，其目的在于提供一种对矩形的被处理基板的外周侧区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的等离子体处理装置，其利用等离子化了的处理气体对进行了真空排气的处理容器内的矩形的被处理基板实施等离子体处理，上述等离子体处理装置的特征在于，包括：

阴极电极，其在与该处理容器绝缘的状态下配置于上述处理容器内，经由匹配电路与高频电源连接，并且用于载置矩形的被处理基板；和

阳极电极部，其在与上述处理容器绝缘的状态下与上述阴极电极相对地配置，具有与上述被处理基板对应的矩形的平面形状，

上述阳极电极部，其在令从该阳极电极部的中央侧向外周侧去的方向为径向时，在上述径向上被分割成多个径向分割电极，这些径向分割电极分别在彼此绝缘的状态下与接地端连接，