[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

形成功率晶体管的单元区，

在所述单元区中，

半导体衬底，

形成在所述半导体衬底上方的漂移层，

形成在所述漂移层上方的沟道层，

形成在所述沟道层上方的源极区，

贯穿所述源极区和所述沟道层并且到达所述漂移层的沟槽，

形成在所述沟槽的内壁上方的栅极绝缘膜，以及

填充形成的所述沟槽的栅电极，

其中，所述栅极绝缘膜具有

与所述沟道层接触的第一部分，

与所述第一部分邻接并且与所述源极区接触的第二部分，以及

与所述第一部分邻接并与所述漂移层接触的第三部分，

其中，所述第二部分包括

与所述第一部分邻接的第一膜厚度部分，以及

与所述第一膜厚度部分邻接的第二膜厚度部分，使得所述第二膜厚度部分比所述第一膜厚度部分厚，并且覆盖与所述源极区接触的所述沟槽的第一角，并且

其中，所述第三部分包括

与所述第一部分邻接的第三膜厚度部分，以及

与所述第三膜厚度部分邻接的第四膜厚度部分，使得所述第四膜厚度部分比所述第三膜厚度部分厚，并且形成在所述沟槽的底面上方；

其中，所述栅极绝缘膜的所述第一部分由以下构成：

与所述沟道层接触的第一绝缘膜，以及

形成在所述第一绝缘膜上方的第三绝缘膜，并且使得所述第三绝缘膜在膜厚度上比所述第一绝缘膜厚，

其中，构成所述栅极绝缘膜的所述第二部分的所述第一膜厚度部分由以下构成：

第一绝缘膜，以及

第三绝缘膜，并且

其中，构成所述栅极绝缘膜的所述第二部分的所述第二膜厚度部分由以下构成：

第二绝缘膜，使得所述第二绝缘膜在膜厚度上比第三绝缘膜厚，以及

形成在所述第二绝缘膜上方的第三绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二膜厚度部分具有与所述源极区的上表面接触的突出部分，

其中，所述栅电极也形成在所述突出部分上方。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述栅电极的上表面低于所述源极区的上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一绝缘膜含有碳。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一绝缘膜是氧化硅膜，

其中，所述第二绝缘膜是氧化硅膜，并且

其中，所述第三绝缘膜是氧化硅膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，半导体衬底包含SiC。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述栅极绝缘膜的所述第一部分具有调节阈值电压的功能，并且

其中，根据所述第一部分的膜厚度来确定所述阈值电压。