[发明专利]具有3D堆叠天线的扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片电连接的接触焊盘，其中，所述接触焊盘所在表面为所述芯片结构的上表面；

包围所述芯片结构，同时暴露出所述芯片结构上表面的塑封层；

位于所述塑封层上表面及芯片结构上表面的重新布线层，其中，所述重新布线层与所述接触焊盘电连接；

位于所述重新布线层外侧的塑封层上的3D堆叠天线，其中，所述3D堆叠天线通过所述重新布线层与所述芯片结构电连接；以及

位于所述重新布线层上的焊球凸块，其中，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括位于所述塑封层及芯片结构上表面、由交替的绝缘层和金属层构成的第一叠层结构，所述第一叠层结构的顶层为金属层，且所述第一叠层结构的第一层金属层与所述接触焊盘进行电连接，相邻两层金属层通过贯穿相应绝缘层的金属插栓进行电连接，其中，所述交替的次数为不小于2次。

3.根据权利要求1所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述3D堆叠天线包括位于所述重新布线层外侧的塑封层上表面、由交替的绝缘层和金属层构成的第二叠层结构，所述第二叠层结构的顶层为金属层，且相邻两层金属层通过贯穿相应绝缘层的金属插栓进行电连接，其中，所述交替的次数为不小于2次。

4.根据权利要求1所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括位于所述塑封层下表面的第二天线，其中，所述第二天线通过金属连接结构与所述3D堆叠天线电连接。

5.根据权利要求1所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述3D堆叠天线为矩形绕线型结构，包围所述重新布线层。

6.根据权利要求1所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊球凸块包括位于所述重新布线层上表面的金属柱，及位于所述金属柱上表面的焊球。

7.一种具有3D堆叠天线的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

1)提供一载体，在所述载体的一表面形成粘合层；

2)在所述粘合层的一表面形成芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片电连接的接触焊盘，其中，所述接触焊盘所在表面为所述芯片结构的上表面，且所述芯片结构的上表面与所述粘合层的一表面接触；

3)在所述粘合层一表面形成塑封层，所述塑封层包覆所述芯片结构；

4)去除所述载体和所述粘合层，以暴露出所述芯片结构的上表面；

5)在所述塑封层上表面及芯片结构上表面形成重新布线层，同时在所述重新布线层外侧的塑封层上形成3D堆叠天线，其中，所述重新布线层与所述接触焊盘电连接，所述3D堆叠天线通过所述重新布线层与所述芯片结构电连接；

6)在所述重新布线层上形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

8.根据权利要求7所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，5)中形成所述重新布线层的方法包括：在所述塑封层上表面及芯片结构上表面交替形成绝缘层和金属层的第一叠层结构，所述第一叠层结构的顶层为金属层，且所述第一叠层结构的第一层金属层与所述接触焊盘进行电连接，相邻两层金属层通过贯穿相应绝缘层的金属插栓进行电连接，其中，所述交替的次数为不小于2次。

9.根据权利要求7所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，5)中形成所述3D堆叠天线的方法包括：形成所述重新布线层的同时，在所述重新布线层外侧的塑封层上表面交替形成绝缘层和金属层的第二叠层结构，所述第二叠层结构的顶层为金属层，且相邻两层金属层通过贯穿相应绝缘层的金属插栓进行电连接，其中，所述交替的次数为不小于2次。

10.根据权利要求7所述的具有3D堆叠天线的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，5)中还包括制备第二天线的步骤，所述步骤包括：

a)对所述塑封层的下表面进行光刻，以形成暴露出所述3D堆叠天线的第一开口；

b)在所述第一开口内形成与所述3D堆叠天线电连接的金属连接结构；

c)在所述塑封层下表面形成与所述金属连接结构电连接的第二天线。