[发明专利]微LED显示组件有效
申请号: | 201710479146.2 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN108630717B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | L·英格兰德;B·J·帕夫拉克 | 申请(专利权)人: | 格芯美国公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 组件 | ||
1.一种半导体结构,包括:
插入件;
多个微LED阵列,每个微LED阵列包括多个像素和多个通孔,其中所述多个像素中的每个像素包括多个子像素,所述多个通孔包括介电衬里、扩散阻挡金属和电镀金属材料,所述多个通孔中的每个通孔直接位于所述多个微LED阵列中每个阵列的所述多个像素中的单独像素之下并通过与所述单独像素物理接触并直接位于所述单独像素之下的金属衬垫连接到所述单独像素,其中所述多个通孔中的每个通孔还被连接到所述插入件,以及所述多个通孔中的单一通孔被用于每个像素;以及
均厚nGaN或pGaN连接,其中所述多个像素从所述多个像素上方共享所述均厚nGaN或pGaN连接。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述插入件是具有驱动器电路的硅插入件。
3.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述插入件是玻璃插入件。
4.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述通孔是硅通孔。
5.根据权利要求4所述的半导体结构,其中每个所述像素通过所述多个硅通孔中的单独的硅通孔连接到所述插入件。
6.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述像素由GaN构成,并且所述通孔是与所述像素集成到相同管芯中的铜硅通孔。
7.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述通孔通过与所述通孔的栅距相匹配的微柱连接到所述插入件。
8.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个微LED阵列在所述插入件上等间距地间隔开。
9.根据权利要求8所述的半导体结构,其中跨管芯像素栅距/间隔等于所述多个微LED阵列的每一个内的像素栅距/间隔。
10.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述通孔的直径为像素栅距的1/2。
11.一种半导体结构,包括:
插入件,其包括多个通孔;
多个微LED阵列,每个微LED阵列包括多个像素和多个通孔,所述多个像素中的每个像素包括多个子像素,所述多个通孔包括介电衬里、扩散阻挡金属和电镀金属材料,所述多个通孔中的每个通孔直接位于所述多个像素中的单独像素之下并通过直接位于所述单独像素之下并与所述单独像素物理接触的金属衬垫连接到所述单独像素;
后段制程布线结构,位于所述插入件和所述多个微LED阵列之间,并通过多个微柱连接到所述多个微LED阵列,其中所述多个微柱中的每个微柱与所述多个像素中的所述单独像素对准并通过所述单独像素的各自的通孔连接到所述单独像素,以便所述多个微柱中的单一微柱被用于所述单独像素;以及
均厚nGaN或pGaN连接,其中所述多个像素从所述多个像素上方共享所述均厚nGaN或pGaN连接。
12.根据权利要求11所述的半导体结构,其中:
所述多个微LED阵列等间距地间隔开;以及
跨管芯像素栅距/间隔等于所述多个微LED阵列的每一个内的像素栅距/间隔。
13.根据权利要求12所述的半导体结构,其中所述像素由GaN构成,并且所述通孔是与所述像素集成到相同管芯中的铜硅通孔。
14.根据权利要求13所述的半导体结构,其中所述铜硅通孔通过所述微柱连接到所述后段制程布线结构。
15.根据权利要求14所述的半导体结构,其中所述微柱是焊料连接。
16.根据权利要求14所述的半导体结构,其中所述微柱匹配所述铜硅通孔的栅距。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的