[发明专利]微LED显示组件有效
申请号: | 201710479146.2 | 申请日: | 2017-06-22 |
公开(公告)号: | CN108630717B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | L·英格兰德;B·J·帕夫拉克 | 申请(专利权)人: | 格芯美国公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 组件 | ||
本发明涉及微LED显示组件。本公开涉及半导体结构,更具体地,涉及一种微LED显示组件及其制造方法。该结构包括插入件和多个微LED阵列,每个微LED阵列包括将多个微LED阵列的像素连接到插入件的多个通孔。
技术领域
本公开涉及半导体结构,更具体地,涉及一种微LED显示组件及其制造方法。
背景技术
无机发光二极管(ILED)是由半导体材料制成的发光二极管。可以使用ILED产生各种不同的颜色,其包括红色,绿色,黄色和蓝色。在操作中,当正向偏置电压被施加到半导体材料的P-N结时,ILED发光。
用于显示系统的LED器件需要在大表面上的高像素设置密度。然而,用于LED的传统制造方法对于满足产量要求是具有挑战性的,特别是对于较大的显示尺寸。此外,由于差的晶片面积利用,更高的成本与下一代显示器相联系。对于后一点,用于大型LED显示器和图像传感器阵列的单个管芯的使用在部分场区域中留下在晶片边缘周围的显著未使用空间。
发明内容
在本公开的方面中,一种结构包括:插入件(interposer);以及多个微LED阵列,每个微LED阵列包括将所述多个微LED阵列的像素连接到所述插入件的多个通孔。
在本公开的方面中,一种结构包括:插入件,其包括多个通孔;多个微LED阵列,每个微LED阵列包括连接到所述多个微LED阵列的每个像素的多个通孔;以及后段制程插入件,包括将所述像素的每个的所述通孔连接到所述插入件的所述通孔的布线结构。
在本公开的一方面,一种方法包括:在衬底中形成连接到微LED阵列的像素的多个通孔;以及将多个微LED阵列中的每一个的所述像素连接到单个插入件,其中所述通孔与所述插入件的连接对准。
附图说明
在下面的详细描述中,通过本公开的示例性实施例的非限制性示例参考所述多个附图来描述本公开。
图1示出了根据本公开的方面的像素设计。
图2示出了根据本公开的一个方面的微LED组件及其制造工艺的横截面图。
图3示出了根据本公开的方面的替代结构和各自的制造工艺。
图4示出了根据本公开的方面的微LED显示组件的横截面图。
图5示出了根据本公开的方面的微LED显示组件的透视图。
图6示出了根据本公开的方面的制造工艺的流程图。
具体实施方式
本公开涉及半导体结构,更具体地,涉及一种微LED显示组件及其制造方法。更具体地说,本公开内容涉及一种微LED显示组件,该微LED显示组件由在使用硅通孔技术的较大的阵列中设置的多个小型微LED阵列组成。也就是,微LED显示组件使用以阵列设置的多个小管芯来代替一个大阵列。微LED显示组件可用于例如2.5D和3D技术。
在实施例中,每个小型微LED阵列包括用于安装到衬底上以形成较大显示组件的硅通孔(TSV)技术。在实施例中,TSV连接到每个单独的微LED,例如像素。可以使用硅或玻璃插入件或直接地将TSV微LED阵列器件连接到像素驱动器。在实施例中,硅插入件允许像素驱动电路的直接集成;而玻璃插入件将需要单独的像素驱动器。在实施例中,多个小型微LED阵列提供到每个TSV/微LED连接的高密度布线。
有利地,与使用单个更大的像素阵列相比,微LED显示组件为大显示尺寸提供了改善的(例如,高的)产量。这是由于可以组装几个小管芯以共同形成较大的LED阵列,而不是单个大管芯。更具体地,如果在单个大管芯上发现故障,则整个管芯将需要被丢弃;而如本文所公开的,如果在较小的管芯上发现单个故障,则仅需要丢弃该单个更小的管芯。这将显着降低成本并提高产量,因为在像素故障时丢弃较小的管芯更便宜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的